[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触；

所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层均包括：覆盖部、搭接部和连接在所述覆盖部与所述搭接部之间的连接部；

所述第一子缓冲层的所述覆盖部覆盖所述源极；

所述第一子缓冲层的所述搭接部覆盖所述有源层的源极接触区；

所述第二子缓冲层的所述覆盖部覆盖所述漏极；

所述第二子缓冲层的所述搭接部覆盖所述有源层的漏极接触区；

所述有源层包括：第一子有源层和位于所述第一子有源层的对侧，且与之间隔设置的第二子有源层和第三子有源层，其中，

所述第一子有源层具有所述源极接触区和所述漏极接触区；所述第一子缓冲层的所述搭接部覆盖所述第一子有源层的所述源极接触区；

所述第二子有源层设置在所述源极与所述衬底基板之间，且所述第一子缓冲层的所述覆盖部完全覆盖所述源极与所述第二子有源层；

所述第三子有源层设置在所述漏极与所述衬底基板之间，且所述第二子缓冲层的所述覆盖部完全覆盖所述漏极与所述第三子有源层。

2.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1所述的薄膜晶体管。

3.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求2中所述的阵列基板。

4.一种如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成有源层、源极、漏极和导电缓冲层，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；

所述导电缓冲层包括：完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成有源层、源极、漏极以及导电缓冲层的步骤，具体包括：

在所述衬底基板上依次形成有源材料薄膜以及源漏材料薄膜；

在所述源漏材料薄膜上形成所述源极和漏极的指定图案层，及在所述有源材料薄膜上形成所述有源层；

在所述衬底基板上形成完全覆盖所述源极和漏极的指定图案层和所述有源层的导电缓冲材料薄膜；

去除所述导电缓冲材料薄膜的与所述有源层的沟道区相对应的部分，以形成所述导电缓冲层；

去除所述源极和漏极的指定图案层的与所述有源层的沟道区对应的部分，以形成所述源极和所述漏极。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏材料薄膜上形成所述源极和漏极的指定图案层，及在所述有源材料薄膜上形成所述有源层，具体包括：

采用一次构图工艺同时制作形成所述源极和漏极的指定图案层，及在所述有源材料薄膜上形成所述有源层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述构图工艺包括：

采用湿法刻蚀工艺同时对所述源漏材料薄膜和所述有源材料薄膜进行刻蚀；

所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液对应所述源漏材料薄膜的刻蚀速率大于对应所述有源材料薄膜的刻蚀速率。