[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系，仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层，并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极，既节省了缓冲层，又避免了源极与漏极被氧化的风险，提高了TFT的特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor-liquid crystal display，简称TFT-LCD)和有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emittingdiode，简称AMOLED)等领域，以铟镓锌氧化物为代表的氧化物半导体材料成为热点。背沟道刻蚀型氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，简称TFT)由于制造工序简单，目前被各大面板制造商广泛研究。铟镓锌氧化物TFT的源漏极配线多采用铜，铜和铟镓锌氧化物之间需要添加金属缓冲层，否则铜会向铟镓锌氧化物中扩散，严重影响TFT的特性。另外，由于铟镓锌氧化物的钝化层通常采用高氧含量的氧化硅作为绝缘层，工艺制程中极易造成铜的氧化，因此在铜和钝化层之间也需要金属缓冲层。即便如此，在TFT沟道位置的源漏极的刻蚀侧壁仍有铜暴露，仍会造成铜的氧化，严重影响TFT特性。

如图1所示，现有的薄膜晶体管包括：栅极1’、栅极绝缘层2’、有源层3’、第一缓冲层4’、源极5’、漏极6’、第二缓冲层7’、钝化层8’以及像素电极9’；在图1中，第一缓冲层4’可以防止源极5’与漏极6’的金属原子向有源层3’的扩散，第二缓冲层7’可以防止源极5’与漏极6’的金属原子向钝化层8’的扩散，但是在TFT沟道位置的源极5’与漏极6’的刻蚀侧壁仍有金属暴露，严重影响了TFT的特性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。

优选地，所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层均包括：覆盖部、搭接部和连接在所述覆盖部与所述搭接部之间的连接部；

所述第一子缓冲层的所述覆盖部覆盖所述源极；

所述第一子缓冲层的所述搭接部覆盖所述有源层的源极接触区；

所述第二子缓冲层的所述覆盖部覆盖所述漏极；

所述第二子缓冲层的所述搭接部覆盖所述有源层的漏极接触区。

优选地，所述有源层包括：第一子有源层和位于所述第一子有源层的对侧，且与之间隔设置的第二子有源层和第三子有源层，其中，

所述第一子有源层具有所述源极接触区和所述漏极接触区；所述第一子缓冲层的所述搭接部覆盖所述第一子有源层的所述源极接触区；

所述第二子有源层设置在

所述源极与所述衬底基板之间，且所述第一子缓冲层的所述覆盖部完全覆盖所述源极与所述第二子有源层；

所述第三子有源层设置在所述漏极与所述衬底基板之间，且所述第二子缓冲层的所述覆盖部完全覆盖所述漏极与所述第三子有源层。

一种阵列基板，包括：本申请中所述的薄膜晶体管。