[发明专利]半导体装置与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基板，具有一腔室；

一第一介电层，设置于该基板上；

一对热电耦，设置于该第一介电层上；

一第二介电层，设置于该第一介电层上与该对热电耦之间；以及

一接收体，连接于该对热电耦。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二介电层设置于该对热电耦之间的部分作为一隔离结构。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该对热电耦的材料包括一N型半导体与一P型半导体。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二介电层具有至少两凹槽，其中该至少两凹槽分别位于该隔离结构的两侧且该接收体的部分设置于该至少两凹槽中。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，更包含：

一第三介电层，设置于该第二介电层上。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三介电层填充该至少两凹槽。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，其中该接收体包含：

一连接层，设置于该至少两凹槽中；及

一吸热层，设置于该连接层与该第二介电层上。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在该基板中形成一凹槽；

形成一填充结构填充该凹槽；

形成一第一介电层于该填充结构上；

形成一导电结构于该第一介电层上；

将该导电结构图案化以形成一对热电耦；

形成一第二介电层于该第一介电层上与该对热电耦之间；

形成一接收体连接于该对热电耦；以及

移除该填充结构以形成一腔室。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包含：

在图案化该导电结构后执行离子布植以形成该对热电耦。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包含：

将该第二介电层图案化以形成至少两凹槽；

其中该至少两凹槽曝露该对热电耦的部分顶表面。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该接收体的部分设置于该至少两凹槽中。

12.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包含：

形成一第三介电层于该第二介电层上。