[发明专利]半导体装置与其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置与其制造方法，其中，所述半导体装置包括一基板，基板具有一腔室。半导体装置也包括一第一介电层，第一介电层设置于基板上。半导体装置更包括一对热电耦，此对热电耦设置于第一介电层上。半导体装置包括一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层上与热电耦之间。半导体装置也包括一接收体，接收体连接于热电耦。

技术领域

本揭露实施例是有关于一种半导体装置与其制造方法，且特别是有关于一种包含隔绝结构设置于一对热电耦之间的半导体装置与其制造方法。

背景技术

热电效应(thermoelectric effect)是通过热电偶将温差直接转换为电压，反之亦然。此效应可用于产生电能、测量温度、冷却或加热物体。

一般的热感测装置上设置有热电耦(thermocouple)，在将待量测物的热传送至热电耦后，可通过赛贝克效应(Seebeck effect)产生一电压差，进而由此电压差量测出待量测物的温度。由于半导体材料的席贝克系数(Seebeck coefficient)的绝对值大于金属材料，可选择半导体材料形成一对热电耦。然而，使用半导体材料可能在此对热电耦的连接处产生空乏区(depletion region)，此空乏区将缩短热电耦的有效长度(useful length)，使热感测装置的感测性能下降。

因此，现行用于形成热感测装置的半导体装置虽大致符合需求，但并非在各方面皆令人满意。

发明内容

本揭露实施例是有关于一种在一对热电耦之间设置隔绝结构的半导体装置与其制造方法。在一些实施例中，本揭露实施例的热电耦通过隔绝结构(介电层的一部分)彼此分离，可防止空乏区的产生，进而可改进热电耦的有效长度，提升半导体装置的感测性能。

本揭露实施例包括一种半导体装置。半导体装置包括一基板，基板具有一腔室。半导体装置也包括一第一介电层，第一介电层设置于基板上。半导体装置更包括一对热电耦，此对热电耦设置于第一介电层上。半导体装置包括一隔绝结构，隔绝结构设置于热电耦之间。半导体装置也包括一接收体，接收体连接于热电耦。

本揭露实施例包括一种半导体装置。半导体装置包括一基板，基板具有一腔室。半导体装置也包括一第一介电层，第一介电层设置于基板上。半导体装置更包括一对热电耦，此对热电耦设置于第一介电层上。半导体装置包括一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层上与热电耦之间。半导体装置也包括一接收体，接收体连接于热电耦。

本揭露实施例包括一种半导体装置的制造方法。此制造方法包括提供一基板。此制造方法也包括在基板中形成一凹槽。此制造方法更包括形成一填充结构填充凹槽。此制造方法包括形成一第一介电层于填充结构上。此制造方法也包括形成一导电结构于第一介电层上。此制造方法更包括将导电结构图案化以形成一对热电耦。此制造方法包括形成一第二介电层于第一介电层上与热电耦之间。此制造方法也包括形成一接收体连接于热电耦。此制造方法更包括移除填充结构以形成一腔室。

附图说明

以下将配合所附图式详述本揭露实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本揭露实施例的技术特征。

图1至图7是根据本揭露的一些实施例，说明形成图7所示的半导体装置在各个不同工艺阶段的部分示意图。

100～半导体装置；

10～基板；

10C～凹槽；

20～第一介电层；

21～介电层；

23～介电层；

30～填充结构；

32～腔室；

40～导电结构；