[发明专利]一种间隙光刻机构及其光刻方法

说明书

本发明公开了一种间隙光刻机构及其光刻方法，包括掩膜架，所述掩膜架为两端开口的中空结构，所述掩膜架的上端面用于放置掩膜版，所述掩膜架的下方设置有承片台，所述承片台的上端面用于放置柔性箔板，且用于放置柔性箔板的区域周围设置有若干限位柱，限位柱的上端面高出柔性箔板的光刻胶面，所述承片台能够进入所述掩膜架内；当所述承片台进入所述掩膜架内，且限位柱的上端面与掩膜版的药膜面接触时，掩膜版的药膜面与柔性箔板的光刻胶面之间具有间隙。本发明在光刻时掩膜版的药膜面与柔性箔板的光刻胶面能够形成固定的间隙，避免了两者的接触，从而提高了掩膜版的使用率，并大幅改善产品的外观质量缺陷，提高了产品的合格率。

技术领域

本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种间隙光刻机构及其光刻方法。

背景技术

光刻工艺是电阻应变计制造工艺中的关键工步。在电阻应变计图形蚀刻之前，需要通过光刻工艺形成特定应变计光刻胶图案。因此光刻工艺水平的高低，质量的好坏会直接影响电阻应变计蚀刻后电阻应变计图形的线条质量，并最终影响电阻应变计产品的外观合格率及产品的性能。

众所周知，常规的电阻应变计图形光刻工艺，不管是菲林软板光刻工艺还是铬版光刻工艺均采用传统的接触式光刻工艺技术，即将预先制作好的菲林软板或铬版掩膜版通过真空吸附的方式，直接与已经涂覆好光刻胶的电阻应变计柔性箔板的光刻胶层进行接触光刻，掩膜版药膜图形面与柔性箔板光刻胶表面存在一定的挤压，很容易造成光刻胶表面及掩膜版表面损伤，同时掩膜版也易黏连光刻胶，造成掩膜版污染，因而不仅缩短了掩膜版的使用寿命，同时连续多次使用也将严重影响电阻应变计箔板的光刻质量，造成连桥、缺口、断栅、多余物等应变计线条外观缺陷，使得产品在该工序的合格率水平低下。

发明内容

针对现有技术中的技术问题，本发明提供了一种间隙光刻机构及其光刻方法，在光刻时掩膜版的药膜面与柔性箔板的光刻胶面能够形成固定的间隙，避免了两者的接触，从而提高了掩膜版的使用率，并大幅改善产品的外观质量缺陷，提高了产品的合格率。

为了解决上述技术问题，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种间隙光刻机构，包括掩膜架，所述掩膜架为两端开口的中空结构，所述掩膜架的上端面用于放置掩膜版，所述掩膜架的下方设置有承片台，所述承片台的上端面用于放置柔性箔板，且用于放置柔性箔板的区域周围设置有若干限位柱，限位柱的上端面高出柔性箔板的光刻胶面，所述承片台能够进入所述掩膜架内；

当所述承片台进入所述掩膜架内，且限位柱的上端面与掩膜版的药膜面接触时，掩膜版的药膜面与柔性箔板的光刻胶面之间具有间隙。

进一步地，所述承片台的下方设置有顶升机构，所述顶升机构用于顶升所述承片台进入所述掩膜架内，所述顶升机构上设置有微压传感器，所述微压传感器用于测量限位柱与掩膜版之间的压力。

进一步地，用于放置柔性箔板的区域周围设置有三个限位柱，其中一个限位柱设置在区域一侧的中间位置，另外两个限位柱分别设置在与区域一侧相邻的两侧位置。

进一步地，若干所述限位柱的上端面位于同一平面，每个所述限位柱的上端面距离所述承片台上端面的距离为50μm～200μm。

进一步地，每个所述限位柱的上端面的平面度≤0.005mm。

进一步地，所述承片台上用于放置柔性箔板的区域内阵列开设有若干真空吸附微孔。

进一步地，所述承片台的平面度≤0.005mm。

进一步地，所述掩膜架的上端面的平面度≤0.01mm。