[发明专利]一种基于开关电容的电压基准源电路

说明书

本发明公开了一种基于开关电容的电压基准源电路，包括三极晶体管结电压VBE产生电路、开关电容电路、输出缓冲级电路。本发明基于开关电容的基准电压电路结构采用带有输入失调补偿电路的开关电容放大器来减小运算放大器输入失调电压对温度系数的影响,同时由于运算放大器失调电压和增益对电路整体性能的影响程度比常规基准降低，从而简化了运算放大器的设计难度，通常采用常规的运算放大器结构已能满足高性能的要求。

技术领域

本发明属于电源技术领域，尤其涉及一种基于开关电容的电压基准源电路。

背景技术

近年来消费类电子市场持续扩张，集成电路电源领域也在飞速膨胀，伴随着产品性能要求越来越高，电源类IC的性能要求也越来越苛刻。作为模拟电路的核心模块基准电压源的精度和稳定性直接决定了整个系统的精度，为了更好的适应模拟和数模混合电路的发展，基准电压源的设计性能需要进一步的提高。传统的带隙基准受运算放大器输入失调电压影响较大。只能通过修调过程，将基准电压重新调整到具有零温系数的输出电压值上。因此，常规的运算放大器已经不能满足集成电路电源领域高性能的要求。

因此，提供一种基于开关电容的电压基准源电路以保证常规运算放大器满足结构满足高性能的要求是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种基于开关电容的电压基准源电路包括三极晶体管结电压VBE产生电路、开关电容电路和输出缓冲级电路；

所述三极晶体管结电压VBE产生电路包括第1PNP型三极晶体管Q1、第2PNP三极晶体管Q2、第1P型MOS管M1、第2P型MOS管M2、第3P型MOS管M3以及偏置电流源I1，所述三极晶体管Q1的基极和集电极接地，发射极接MOS管M1的源极以及电压节点V1；三极晶体管Q2的基极和集电极接地，发射极接MOS管M2的源极以及电压节点V2；MOS管M1的漏极接MOS管M2和MOS管M3的漏极并连接至电源VDD，栅极接MOS管M2、MOS管M3的栅极以及MOS管M3的源极；偏置电流源I1的负端接地GND，正端接MOS管M3的源极；

所述开关电容电路包括第1运算放大器AMP1、第1电容C1、第2电容C2、第4N型MOS管M4、第5N型MOS管M5、第6N型MOS管M6；所述电容C1的两端分别接第1运算放大器AMP1的正输入端，电容C2的一端接电压节点V2，电容C2的另一端接第1运算放大器AMP1的负输入端，第1运算放大器AMP1的正输入端接电压节点V1，所述第4N型MOS管M4的栅极接时钟控制信号CLK11，所述第4N型MOS管M4的源极接第1运算放大器AMP1的正输入端，第4N型MOS管M4的漏极接第5N型MOS管M5的源极，所述第5N型MOS管M5的栅极接时钟控制信号CLK12，所述第5N型MOS管M5的漏极接第1运算放大器AMP1的输出端Vo，所述第6N型MOS管M6的栅极接时钟控制信号CLK11，第6N型MOS管M6源极接第1运算放大器AMP1的负输入端，第6N型MOS管M6漏极接第1运算放大器AMP1的输出端Vo；