[发明专利]在读取电路中调谐电压有效
申请号: | 201911318845.4 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN111383695B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | G·B·雷德;J·F·施雷克 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 读取 电路 调谐 电压 | ||
1.一种用于调谐电压的方法,其包括:
将第一晶体管的栅极加偏压到第一电压,所述第一晶体管与数字线及感测组件耦合且经配置以在读取操作期间在所述数字线与所述感测组件之间转移电荷;
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第一电压之后,撤销激活第二晶体管以将所述第一晶体管的所述栅极与所述感测组件隔离;
在撤销激活所述第二晶体管之后,将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到第二电压;及
至少部分地基于将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压而在所述感测组件处确定存储器单元的逻辑状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压进一步包括:
将电容器的第一板从第三电压加偏压到第四电压,所述电容器具有与所述第一晶体管的所述栅极耦合的第二板。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
激活第三晶体管以耦合所述第一晶体管与所述数字线,其中将所述电容器的所述第一板加偏压到所述第四电压在撤销激活所述第二晶体管之后且在激活所述第三晶体管之前发生。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二电压至少部分地基于所述第三电压与所述第四电压之间的差而定。
5.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第四电压大于所述第三电压;且
所述第二电压大于所述第一电压。
6.根据权利要求1所述的方法,其中:
撤销激活所述第二晶体管使所述第一晶体管的所述栅极浮动。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压补偿与所述第一晶体管相关联的阈值电压变化。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压之后,通过将所述存储器单元放电到所述数字线上而将所述数字线加偏压到第五电压;
激活第三晶体管以耦合所述第一晶体管与所述数字线,所述第三晶体管至少部分地基于将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压而被激活;及
通过所述第一晶体管至少部分地基于所述第五电压小于所述第一晶体管的所述栅极的所述第二电压而在所述数字线与所述感测组件之间转移所述电荷。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第一电压之后,撤销激活所述第三晶体管以将所述第一晶体管与所述数字线隔离,其中撤销激活所述第二晶体管在撤销激活所述第三晶体管之后发生。
10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第一电压之前,激活耦合到所述感测组件及所述第一晶体管的所述第二晶体管,其中将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第一电压至少部分地基于激活所述第二晶体管而进行。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压之前,识别所述第一晶体管的所述栅极的所述第一电压,其中至少部分地基于识别所述第一晶体管的所述栅极的所述第一电压而将所述第一晶体管的所述栅极加偏压到所述第二电压。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器单元经配置以存储三种或多于三种状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911318845.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。