[发明专利]芯片的排版方法有效
申请号: | 201911319522.7 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN111640647B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 刘焱;张丽娟;林志成 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 排版 方法 | ||
本发明提供了一种芯片的排版方法。针对基片框架设定N条环线,以利用N条环线至少划分出内环区,进而可通过移动芯片阵列或基片框架,增加完全排布在内环区中的芯片数量,以获得调整后的基片版图。如此,即相当于增加了基片中具有较高产品合格率的芯片数量,从而可以有效减少基片中不合格芯片的报废量,有利于降低基片的生产成本。
技术领域
本发明涉及版图设计领域,特别涉及一种芯片的排版方法。
背景技术
在半导体领域中,基片的加工制造追求高生产效率与低生产成本,具体可通过提高基片中的合格芯片的产出最大化以实现。通过提高基片中的合格芯片的产出最大化,即能够在生产同一基片的时间下,获取更多的合格芯片,并减少不合格芯片的报废量,进而实现基片的低生产成本。因此,如何提高同一基片中能够生产出更多数量的合格芯片尤其重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片的排版方法,以提高基片中合格芯片的产出率。
为此,本发明提供一种芯片的排版方法,包括:
提供初始的基片版图,所述基片版图包括基片框架和芯片阵列,以及所述芯片阵列中的多个芯片以所述基片框架的基片中心为中心对称排布;
针对所述基片框架设定N条环形,N为大于等于1的正整数,并且所述N条环线基于所述基片中心由外至内依次排布,以及位于最内环的环线内的区域构成内环区,部分芯片完全排布在所述内环区中;以及,
移动所述芯片阵列或所述基片框架,以增加完全排布在所述内环区中的芯片数量,并获得调整后的基片版图。
可选的,所述基片框架还具有边缘环线,以及利用所述边缘环线和所述N条环线中相邻的环线由外至内依次围绕出N个环区,并且由外至内依次排布的N个环区和所述内环区的芯片良率依次递增。
可选的,由所述基片框架的边缘环线和最外环的环线围绕出的环区构成最外环区,所述最外环区的芯片良率低于20%。
可选的,所述内环区中的芯片良率高于80%。
可选的,设定N条环线的方法包括:收集历史基片中的芯片良率的历史数据,并获取以基片中心为中心的多个不同半径范围内的良率分布状况;以及,根据基片框架的多个不同半径范围内的良率分布状况,设定所述N条环线。
可选的,所述芯片阵列中,完全排布在所述内环区中的芯片为第一芯片,以及沿着最内环的环线排布的多个芯片中具有从所述内环区延伸出的若干第二芯片;在所述初始的基片版图中,所述若干第二芯片以所述基片中心为中心对称排布,并且相互对称的两个第二芯片中延伸出所述内环区的尺寸相同。
可选的,所述若干第二芯片中,至少部分第二芯片其延伸出所述内环区的尺寸小于芯片宽度尺寸的0.5倍。
可选的,移动所述芯片阵列或所述基片框架,以增加完全排布在所述内环区中的芯片数量的方法包括:沿着预定方向移动所述芯片阵列或所述基片框架,以使得所述预定方向上相互对称的两侧第二芯片中,位于其中一侧的第二芯片完全移动至所述内环区中并构成新增第一芯片,以及位于另一侧的第二芯片远离所述内环区移动,并且所述另一侧的第二芯片移动后还部分位于内环区中。
可选的,设定N条环线包括设定第一环线和第二环线,以及所述第一环线和所述第二环线的中心均与所述基片框架的基片中心重合,并基于所述基片中心由外至内依次排布。
其中,所述基片框架还具有边缘环线,所述边缘环线和所述第一环线围绕出第一环区,所述第一环线和所述第二环线围绕出第二环区,以及位于所述第二环线内的区域构成所述内环区,并且所述内环区、所述第二环区和所述第一环区中,芯片良率依次降低。
可选的,所述基片框架的边缘还设置有标记区,所述标记区位于所述最外环区中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造