[发明专利]阵列基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911320212.7 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN111129033A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 宋德伟 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;G06F3/041
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底层;

功能层,设于所述衬底层上,其具有源漏极层;

触控走线层,绝缘设于所述功能层中,并与所述源漏极层位于同一层;

第一绝缘层,覆于所述源漏极层和所述触控走线层上;

公共电极层,设于所述第一绝缘层上;

钝化层,覆于所述公共电极层和所述第一绝缘层上;

连接电极层,设于所述钝化层上;

其中,所述连接电极层穿过所述钝化层、公共电极层和第一绝缘层与所述触控走线层连接;同时,所述公共电极层通过所述连接电极层与所述触控走线层连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

像素电极层,设于所述钝化层上,并与所述源漏极层连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述功能层还包括:

有源层,设于所述衬底层上;

栅极层,绝缘设于所有源层上;

所述源漏极层和所述触控走线层绝缘设于所述栅极层上,并且所述源漏极层连接至所述有源层的两端。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述功能层中还包括:

第二绝缘层,设于所述有源层和所述栅极层之间;

介电层,设于所述栅极层和所述源漏极层之间。

5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

缓冲层,设于所述有源层和所述衬底层之间;

遮光层,设于所述衬底层和所述缓冲层之间,并对应于所述有源层。

6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一衬底层;

在所述衬底层上形成功能层,所述功能层中具有源漏极层;

在形成所述源漏极层的同时形成触控走线层;

在所述源漏极层和所述触控走线层上形成所述第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成公共电极层;

在所述公共电极层和所述第一绝缘层上形成钝化层;

在所述钝化层上形成连接电极层。

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:

在形成连接电极层的同时形成像素电极层。

8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述公共电极层和所述第一绝缘层上形成钝化层步骤中包括以下步骤:在所述公共电极层和所述第一绝缘层上沉积一层无机材料,形成所述钝化层;通过光罩程序将所述钝化层图案化,同时将所述第一绝缘层也图案化。

9.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底层上形成功能层步骤中包括以下步骤:

在所述衬底层上形成有源层;

在所述有源层和所述衬底层上形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成栅极层;

在所述栅极层和所述第二绝缘层上形成介电层;

在所述介电层上形成所述源漏极层和所述触控走线层。

10.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在提供一衬底层步骤后还包括以下步骤:

在所述衬底层上制备遮光层;

在所述遮光层上和所述衬底层上制备缓冲层。

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