[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法。所述阵列基板包括衬底层、功能层、源漏极层以及第一绝缘层。本发明的所提供的一种阵列基板其制备方法总共采用了8道光罩程序，省略现有技术中的平坦层，从而省去了平坦层的光罩，缩短了生产周期，降低了生产成本，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

显示设备，比如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

随着平面显示技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。非晶硅的电子迁移率较低，而低温多晶硅(Low Temperature Ploy-Silicon，LTPS)可以在低温下制作，且拥有比非晶硅更高的电子迁移率。其次，LTPS较高的载流子迁移率可以使晶体管获得更高的开关电流比，在满足要求的充电电流条件下，每个像素晶体管可以更加小尺寸化，增加每个像素透光区，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗，从而获得更好的视觉体验。因此，LTPS得到了广泛地应用和研究。

由于液晶显示器是一种靠电场来调节液晶分子的排列状态，从而实现光通量调制的被动型显示器件，需要精细的阵列基板配合各像素区液晶的偏转状况。鉴于LTPS阵列基板朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了设备成本以指数增长。目前，包括低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板由于低温多晶硅中的光罩次数较多，从而造成低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备较为困难，且不利于产能的提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中邓文多晶硅阵列基板制备过程中光罩次数较多、生产周期较长、生产成本较高等问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种阵列基板，其包括衬底层、功能层、触控走线层、第一绝缘层、公共电极层、钝化层以及连接电极层。

所述功能层设于所述衬底层上，其具有源漏极层。所述触控走线层绝缘设于所述功能层中，并与所述源漏极层位于同一层。所述第一绝缘层覆于所述源漏极层和所述触控走线层上。所述公共电极层设于所述第一绝缘层上。所述钝化层覆于所述公共电极层和所述第一绝缘层上。所述连接电极层设于所述钝化层上。

其中，所述连接电极层穿过所述钝化层、公共电极层和第一绝缘层与所述触控走线层连接。同时，所述公共电极层通过所述连接电极层与所述触控走线层连接。

进一步地，所述阵列基板中还包括像素电极层，其设于所述钝化层上，并与所述源漏极层连接。

进一步地，所述功能层还包括有源层和栅极层。所述有源层设于所述衬底层上。所述栅极层绝缘设于所有源层上。所述源漏极层和所述触控走线层绝缘设于所述栅极层上，并且所述源漏极层连接至所述有源层的两端。

进一步地，所述功能层中还包括第二绝缘层和介电。所述第二绝缘层设于所述有源层和所述栅极层之间。所述介电层设于所述栅极层和所述源漏极层之间。

进一步地，所述阵列基板中还包括缓冲层和遮光层。所述缓冲层设于所述有源层和所述衬底层之间。所述遮光层设于所述衬底层和所述缓冲层之间，并对应于所述有源层。

本发明中还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一衬底层。在所述衬底层上形成功能层，所述功能层中具有源漏极层。在形成所述源漏极层的同时形成触控走线层。在所述源漏极层和所述触控走线层上形成所述第一绝缘层。在所述第一绝缘层上形成公共电极层。在所述公共电极层和所述第一绝缘层上形成钝化层。在所述钝化层上形成连接电极层。

进一步地，所述阵列基板的制备方法中还包括以下步骤：在形成连接电极层的同时形成像素电极层。