[发明专利]半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体加工设备，包括：

处理室，用于蚀刻半导体晶圆；

设备前端模块，用于传送半导体晶圆；

转移室，设置在所述处理室与所述设备前端模块之间，所述转移室用于转移半导体晶圆；和

前置装载室，用于连接所述转移室和所述设备前端模块；

其特征在于，所述半导体加工设备还包括气体净化装置，所述前置装载室连接一通气管，所述气体净化装置设置在所述通气管的进气端；

所述气体净化装置包括等离子发生器和气流通道，所述气流通道贯穿所述等离子发生器并连通所述前置装载室和所述通气管，所述气流通道的管径小于所述通气管的管径，通过文丘里效应使所述前置装载室内的气体朝向所述通气管自然流动，所述等离子发生器用于净化流经所述气流通道的气体。

2.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述等离子发生器包括第一电极元件和第二电极元件，所述第一电极元件和所述第二电极元件之间夹设电介质层，所述气流通道开设在所述电介质层中，等离子产生在所述气流通道内。

3.如权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括电力模块，用于提供交流电源，所述第一电极元件和所述第二电极元件分别连接所述电力模块的正极和负极。

4.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括第一检测器，所述第一检测器设置在所述前置装载室内并靠近所述等离子发生器的进气端，用于检测气体中的颗粒浓度，所述电力模块根据所述第一检测器的检测结果调整输出电压。

5.如权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括真空泵，所述真空泵连通所述通气管的出气端，用于抽吸所述前置装载室内的气体，以提高气体净化的速率。

6.如权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括第二检测器，所述第二检测器设置在所述通气管的出气端，用于检测净化后的气体中的颗粒浓度，所述电力模块根据所述第二检测器的检测结果调整输出电压。

7.如权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括过滤器，设置在所述真空泵的进气端，所述过滤器用于阻止颗粒进入所述真空泵。

8.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述气流通道的数量为多个，多个所述气流通道的横截面积之和小于所述通气管的横截面积。

9.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述前置装载室的内腔中还设置有第三检测器，用于检测所述前置装载室内的颗粒浓度，所述通气管内设有阀门，所述阀门与所述第三检测器电连接，当所述第三检测器的检测值低于一预设值时，所述阀门关闭所述通气管。