[发明专利]半导体加工设备

说明书

本发明提供一种半导体加工设备，包括：处理室、设备前端模块、转移室、前置装载室和气体净化装置，所述前置装载室连接一通气管，所述气体净化装置设置在所述通气管的进气端；所述气体净化装置包括等离子发生器和气流通道，所述气流通道贯穿所述等离子发生器并连通所述前置装载室和所述通气管，所述气流通道的管径小于所述通气管的管径，通过文丘里效应使所述前置装载室内的气体朝向所述通气管自然流动，所述等离子发生器用于净化流经所述气流通道的气体，从而实现清除所述前置装载室中污染物的目的。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体加工设备。

背景技术

半导体加工设备中的前置装载室(Loadlock chamber)通常用于将半导体晶圆供应到相应处理室。半导体晶圆在处理室中进行蚀刻、薄膜沉积等制成，这些制程步骤会产生杂质颗粒、烟尘等污染物，而这些污染物是处理设备对半导体晶圆进行工艺处理过程中的一个主要关心问题。由于半导体加工设备的不同腔室之间的压力不同，污染物常常会留在前置装载室中，这些污染物会附着在进入前置装载室的半导体晶圆上，从而影响半导体晶圆的制程，导致设备的总体成品率下降。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种能够清除前置装载室中污染物的半导体加工设备。

一种半导体加工设备，包括：处理室，用于蚀刻半导体晶圆；设备前端模块，用于传送半导体晶圆；转移室，设置在所述处理室与所述设备前端模块之间，所述转移室用于转移半导体晶圆；和前置装载室，用于连接所述转移室和所述设备前端模块；所述半导体加工设备还包括气体净化装置，所述前置装载室连接一通气管，所述气体净化装置设置在所述通气管的进气端；所述气体净化装置包括等离子发生器和气流通道，所述气流通道贯穿所述等离子发生器并连通所述前置装载室和所述通气管，所述气流通道的管径小于所述通气管的管径，通过文丘里效应使所述前置装载室内的气体朝向所述通气管自然流动，所述等离子发生器用于净化流经所述气流通道的气体。

可选地，所述等离子发生器包括第一电极元件和第二电极元件，所述第一电极元件和所述第二电极元件之间夹设电介质层，所述气流通道开设在所述电介质层中，等离子产生在所述气流通道内。

可选地，所述半导体加工设备还包括电力模块，用于提供交流电源，所述第一电极元件和所述第二电极元件分别连接所述电力模块的正极和负极。

可选地，所述半导体加工设备还包括第一检测器，所述第一检测器设置在所述前置装载室内并靠近所述等离子发生器的进气端，用于检测气体中的颗粒浓度，所述电力模块根据所述第一检测器的检测结果调整输出电压。

可选地，所述半导体加工设备还包括真空泵，所述真空泵连通所述通气管的出气端，用于抽吸所述前置装载室内的气体，以提高气体净化的速率。

可选地，所述半导体加工设备还包括第二检测器，所述第二检测器设置在所述通气管的出气端，用于检测净化后的气体中的颗粒浓度，所述电力模块根据所述第二检测器的检测结果调整输出电压。

可选地，所述半导体加工设备还包括过滤器，设置在所述真空泵的进气端，所述过滤器用于阻止颗粒进入所述真空泵。

可选地，所述气流通道的数量为多个，多个所述气流通道的横截面积之和小于所述通气管的横截面积。

可选地，所述前置装载室的内腔中还设置有第三检测器，用于检测所述前置装载室内的颗粒浓度，所述通气管内设有阀门，所述阀门与所述第三检测器电连接，当所述第三检测器的检测值低于一预设值时，所述阀门关闭所述通气管。

上述半导体加工设备通过在前置装载室的通气管的进气端设置等离子发生器和小直径的气流通道，使气体在文丘里效应的作用下发生自然流动，同时等离子发生器净化流经所述气流通道的气体，从而实现清楚所述前置装载室中污染物的目的。

附图说明