[发明专利]一种柔性阵列基板的制备方法及柔性阵列基板

权利要求书

1.一种柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括一柔性衬底和形成在所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；

对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，形成填充孔；对所述无机层进行刻蚀使用形成所述源/漏极的光罩掩膜板作为掩模，或者直接使用所述源/漏极作为掩膜；

在所述填充孔内以及所述源/漏极上沉积有机材料，形成一平坦化层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充孔暴露出所述柔性衬底以及所述栅极。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻的步骤进一步包括：

形成所述源/漏极之后，以用来形成所述源/漏极的光罩掩膜板作为掩模，或者直接以所述源/漏极作为掩模，进一步对所述源/漏极两侧的无机层进行蚀刻，以去除所述无机层未被所述源/漏极覆盖的部分并保留被所述源/漏极覆盖的部分，从而形成所述填充孔。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板进一步采用如下步骤制成：

在所述柔性衬底上通过一第一光罩掩膜板图案化一有源层，形成所述沟道区；

在所述柔性衬底上形成一栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上通过一第二光罩掩膜板图案化一栅极层，形成所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成一层间绝缘层，并通过一第三光罩掩膜板对所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层进行蚀刻，形成源/漏极接触孔；

在所述层间绝缘层上通过一第四光罩掩膜板图案化一源/漏极层，形成所述源/漏极，其中，所述源/漏极通过所述源/漏极接触孔与所述沟道区相接触。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板进一步采用如下步骤制成：

在所述柔性衬底上通过一第一光罩掩膜板图案化一有源层，形成所述沟道区；

在所述柔性衬底上形成一第一栅极绝缘层，并在所述第一栅极绝缘层上通过一第二光罩掩膜板图案化一第一栅极层，形成所述栅极和一电容的一第一极板；

在所述第一栅极绝缘层上形成一第二栅极绝缘层，并在所述第二栅极绝缘层上通过一第三光罩掩膜板图案化一第二栅极层，形成所述电容的一第二极板；

在所述第二栅极绝缘层上形成一层间绝缘层，并通过一第四光罩掩膜板对所述层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层进行蚀刻，形成源/漏极接触孔以及第二极板接触孔；

在所述层间绝缘层上通过一第五光罩掩膜板图案化一源/漏极层，形成所述TFT的源/漏极以及第二极板连接线，其中，所述源/漏极通过所述源/漏极接触孔与所述沟道区相接触，所述第二极板连接线通过所述第二极板接触孔与所述第二极板相接触。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法进一步包括如下步骤：

通过一第六光罩掩膜板对所述平坦化层进行蚀刻，形成阳极接触孔；

在所述平坦化层上通过一第七光罩掩膜板图案化一阳极层，形成一阳极；

在所述平坦化层上形成一像素定义层，并通过一第八光罩掩膜板对所述像素定义层进行蚀刻，形成暴露所述阳极的开孔；

在所述像素定义层上形成一支撑层，并通过一第九光罩掩膜板对所述支撑层进行蚀刻，形成支撑柱。

7.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：

一柔性衬底；

设置于所述柔性衬底上的一TFT的沟道区、栅极、源/漏极及相应的无机层；

设置于所述源/漏极两侧的填充孔；所述填充孔以用来形成所述源/漏极的光罩掩膜板作为掩模，或者直接使用所述源/漏极作为掩膜刻蚀形成；

设置于所述填充孔内以及所述源/漏极上的一平坦化层，所述平坦化层所采用的材料为有机材料。

8.如权利要求7所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述填充孔暴露出所述柔性衬底以及所述栅极。

9.如权利要求7所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述无机层仅保留被所述源/漏极覆盖的部分。