[发明专利]一种晶圆刻蚀设备在审

专利信息
申请号: 201911322531.1 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111063638A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 谢永宁 申请(专利权)人: 泉州圆创机械技术开发有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 设备
【权利要求书】:

1.一种晶圆刻蚀设备,其结构包括顶喷(1)、排液管(2)、蚀刻装置(3)、外固定框架(4)、转盘(5)、电机(6)、底座(7)、顶升油缸(8),其特征在于:

所述的底座(7)顶部设有外固定框架(4),所述的外固定框架(4)前端设有蚀刻装置(3),所述的蚀刻装置(3)下方设有转盘(5),所述的转盘(5)底部设有电机(6),所述的转盘(5)顶部设有顶升油缸(8),所述的外固定框架(4)顶部设有顶喷(1),所述的蚀刻装置(3)两侧设有排液管(2)。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻装置(3)由晶圆固定机构(31)、蚀刻引流机构(32)、蚀刻回液机构(33)、液箱(34)、泵机(35)组成,所述的蚀刻回液机构(33)内部设有蚀刻引流机构(32),所述的蚀刻引流机构(32)内部设有晶圆固定机构(31),所述的蚀刻回液机构(33)下方设有液箱(34),所述的液箱(34)底部设有泵机(35)。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的晶圆固定机构(31)由导流圈(31a)、限位座(31b)、弹簧(31c)、限位杆(31d)、限位垫片(31e)组成,所述的导流圈(31a)顶部设有限位座(31b),所述的限位座(31b)上设有限位杆(31d),所述的限位座(31b)后端设有弹簧(31c),所述的限位座(31b)前端设有限位垫片(31e)。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的导流圈(31a)由导流槽(31a1)、导流外环(31a2)、晶圆转盘(31a3)组成,所述的晶圆转盘(31a3)外圈上设有导流外环(31a2),所述的导流外环(31a2)内圈上设有导流槽(31a1)。

5.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻引流机构(32)由滑块(32a)、阻流立板(32b)、支杆(32c)、转环(32d)、分流叶片(32e)组成,所述的转环(32d)外圈上设有滑块(32a),所述的转环(32d)内圈上设有分流叶片(32e),所述的分流叶片(32e)顶部设有阻流立板(32b),所述的分流叶片(32e)下方设有支杆(32c)。

6.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻回液机构(33)由滑槽(33a)、蚀刻框(33b)、回液管(33c)、限位轨道(33d)、滑套(33e)组成,所述的蚀刻框(33b)内圈上设有滑槽(33a),所述的蚀刻框(33b)底部设有限位轨道(33d),所述的限位轨道(33d)中心位置设有滑套(33e),所述的限位轨道(33d)两侧设有回液管(33c)。

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