[发明专利]一种晶圆刻蚀设备在审
申请号: | 201911322531.1 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111063638A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 谢永宁 | 申请(专利权)人: | 泉州圆创机械技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 设备 | ||
1.一种晶圆刻蚀设备,其结构包括顶喷(1)、排液管(2)、蚀刻装置(3)、外固定框架(4)、转盘(5)、电机(6)、底座(7)、顶升油缸(8),其特征在于:
所述的底座(7)顶部设有外固定框架(4),所述的外固定框架(4)前端设有蚀刻装置(3),所述的蚀刻装置(3)下方设有转盘(5),所述的转盘(5)底部设有电机(6),所述的转盘(5)顶部设有顶升油缸(8),所述的外固定框架(4)顶部设有顶喷(1),所述的蚀刻装置(3)两侧设有排液管(2)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻装置(3)由晶圆固定机构(31)、蚀刻引流机构(32)、蚀刻回液机构(33)、液箱(34)、泵机(35)组成,所述的蚀刻回液机构(33)内部设有蚀刻引流机构(32),所述的蚀刻引流机构(32)内部设有晶圆固定机构(31),所述的蚀刻回液机构(33)下方设有液箱(34),所述的液箱(34)底部设有泵机(35)。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的晶圆固定机构(31)由导流圈(31a)、限位座(31b)、弹簧(31c)、限位杆(31d)、限位垫片(31e)组成,所述的导流圈(31a)顶部设有限位座(31b),所述的限位座(31b)上设有限位杆(31d),所述的限位座(31b)后端设有弹簧(31c),所述的限位座(31b)前端设有限位垫片(31e)。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的导流圈(31a)由导流槽(31a1)、导流外环(31a2)、晶圆转盘(31a3)组成,所述的晶圆转盘(31a3)外圈上设有导流外环(31a2),所述的导流外环(31a2)内圈上设有导流槽(31a1)。
5.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻引流机构(32)由滑块(32a)、阻流立板(32b)、支杆(32c)、转环(32d)、分流叶片(32e)组成,所述的转环(32d)外圈上设有滑块(32a),所述的转环(32d)内圈上设有分流叶片(32e),所述的分流叶片(32e)顶部设有阻流立板(32b),所述的分流叶片(32e)下方设有支杆(32c)。
6.根据权利要求2所述的一种晶圆刻蚀设备,其特征在于:所述的蚀刻回液机构(33)由滑槽(33a)、蚀刻框(33b)、回液管(33c)、限位轨道(33d)、滑套(33e)组成,所述的蚀刻框(33b)内圈上设有滑槽(33a),所述的蚀刻框(33b)底部设有限位轨道(33d),所述的限位轨道(33d)中心位置设有滑套(33e),所述的限位轨道(33d)两侧设有回液管(33c)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造