[发明专利]一种晶圆刻蚀设备

说明书

本发明公开了一种晶圆刻蚀设备，其结构包括顶喷、排液管、蚀刻装置、外固定框架、转盘、电机、底座、顶升油缸，本发明具有的效果：蚀刻装置主要由晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构组成，通过泵机形成的输送压力，将液箱内部的蚀刻液传输至顶喷，通过顶喷将蚀刻液以喷淋的方式垂直向下输出，使蚀刻液在泵机作用下，在蚀刻框和液箱之间循环，通过晶圆固定机构和蚀刻引流机构以及蚀刻回液机构形成的晶圆蚀刻结构，能够在蚀刻中使晶圆旋转，并且晶圆外圈会产生一定的外甩引力，使蚀刻液快速充分从晶圆的蚀刻面经过，减少蚀刻液在晶圆中停留的时间，大大提高晶圆的蚀刻效果，使晶圆蚀刻的线路精度高。

技术领域

本发明涉及晶圆蚀刻领域，尤其是涉及到一种晶圆刻蚀设备。

背景技术

晶圆蚀刻，是以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层，晶圆制造工艺中，在曝光及显影后，接下来的蚀刻工序采用湿法时，是采用氢氟酸(HF)缓冲溶液除去未受保护的SiO2层面，再在后道工序中形成线路，通常的晶圆蚀刻采用的方式为蚀刻液浸泡式或鼓泡式对晶圆进行蚀刻，浸泡式或鼓泡式的蚀刻方式会使晶圆长时间待在蚀刻液中，会对晶圆造成较大的侧蚀，严重影响印制线路精度，因此需要研制一种晶圆刻蚀设备，以此来解决现有的晶圆蚀刻方式通常采用蚀刻液浸泡式或鼓泡式对晶圆进行蚀刻，浸泡式或鼓泡式的蚀刻方式会使晶圆长时间待在蚀刻液中，会对晶圆造成较大的侧蚀，严重影响印制线路精度的问题。

本发明内容

针对现有技术的不足，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种晶圆刻蚀设备，其结构包括顶喷、排液管、蚀刻装置、外固定框架、转盘、电机、底座、顶升油缸，所述的底座顶部设有外固定框架，所述的外固定框架垂直固定在底座上，所述的外固定框架前端设有蚀刻装置，所述的蚀刻装置安装在外固定框架上，所述的蚀刻装置下方设有转盘，所述的转盘和底座采用滑动配合，所述的转盘底部中心位置设有电机，所述的电机安装在底座上，所述的转盘通过电机产生转动力矩，所述的转盘顶部中心位置设有顶升油缸，所述的顶升油缸垂直安装在转盘上，所述的顶升油缸和蚀刻装置相配合，所述的外固定框架顶部设有顶喷，所述的蚀刻装置两侧设有排液管，所述的顶喷通过排液管和蚀刻装置连接。

作为本技术方案的进一步优化，所述的蚀刻装置由晶圆固定机构、蚀刻引流机构、蚀刻回液机构、液箱、泵机组成，所述的蚀刻回液机构内部设有蚀刻引流机构，所述的蚀刻引流机构和蚀刻回液机构相配合，所述的蚀刻引流机构内部中心位置设有晶圆固定机构，所述的晶圆固定机构和蚀刻引流机构相配合，所述的蚀刻回液机构下方设有液箱，所述的液箱安装在外固定框架上，所述的液箱和蚀刻回液机构相配合，所述的液箱底部设有泵机。

作为本技术方案的进一步优化，所述的晶圆固定机构由导流圈、限位座、弹簧、限位杆、限位垫片组成，所述的导流圈顶部设有限位座，所述的限位座上设有限位杆，所述的限位杆和限位座采用滑动配合，所述的限位座后端设有弹簧，所述的弹簧和限位杆相配合，所述的限位座前端设有限位垫片。

作为本技术方案的进一步优化，所述的导流圈由导流槽、导流外环、晶圆转盘组成，所述的晶圆转盘外圈上设有导流外环，所述的导流外环和晶圆转盘相扣合，所述的导流外环内圈上设有导流槽，所述的导流槽和导流外环为一体化结构。

作为本技术方案的进一步优化，所述的蚀刻引流机构由滑块、阻流立板、支杆、转环、分流叶片组成，所述的滑块和转环连接，所述的转环内圈上设有分流叶片，所述的分流叶片顶部中心位置设有阻流立板，所述的阻流立板垂直固定在分流叶片上，所述的分流叶片下方设有支杆。

作为本技术方案的进一步优化，所述的蚀刻回液机构由滑槽、蚀刻框、回液管、限位轨道、滑套组成，所述的蚀刻框内圈上设有滑槽，所述的滑槽和滑块采用滑动配合，所述的蚀刻框底部设有限位轨道，所述的限位轨道与晶圆转盘底部采用滑动配合，所述的限位轨道中心位置设有滑套，所述的限位轨道两侧设有回液管。

有益效果