[发明专利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，在所述衬底上制作体区和漂移区；

在所述体区内制作体接触区和源区，在所述漂移区内制作漏区；所述体接触区和所述源区之间有浅沟槽隔离；

在所述衬底表面制作栅极；

沉积层间介质层；

在所述层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；所述接触孔与所述体接触区、所述源区、所述漏区、所述栅极分别连接，所述矩形槽阵列位于所述漂移区的上方；

其中，所述矩形槽阵列包括若干个矩形槽，所述矩形槽的开口宽度小于所述接触孔的开口宽度，所述矩形槽的开口宽度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述矩形槽阵列中，所述矩形槽的开口长度相同，所述矩形槽的开口宽度等比例缩小。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为N型LDMOS器件；

所述矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述LDMOS器件为P型LDMOS器件；

所述矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。

5.一种LDMOS器件，其特征在于，至少包括在衬底中的体区和漂移区，所述体区内包括体接触区和源区，所述体接触区和所述源区之间设置有浅沟槽隔离，所述漂移区的一端设置有漏区，栅极设置在所述衬底表面；

所述体接触区、所述源区、所述漏区和所述栅极分别通过接触孔引出层间介质层；

所述层间介质层内还包括矩形槽阵列，所述矩形槽阵列位于所述漂移区的上方；

其中，所述矩形槽阵列包括若干个矩形槽，所述矩形槽的开口宽度小于所述接触孔的开口宽度，所述矩形槽的开口宽度逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述矩形槽阵列中，所述矩形槽的开口长度相同，所述矩形槽的开口宽度等比例缩小。

7.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极两侧设置有栅极侧墙。

8.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极下方设置有介质层；

所述介质层的材料为二氧化硅。

9.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体区和所述漂移区位于N型深阱的上方，所述N型深阱位于所述衬底中。

10.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体接触区、所述源区、所述漏区和所述栅极的表面分别设置有硅化物合金层。

11.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述矩形槽和所述接触孔内填充有钨。

12.根据权利要求5至11任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为N型LDMOS器件；

所述矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。

13.根据权利要求5至11任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为P型LDMOS器件；

所述矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。