[发明专利]LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件

说明书

本申请公开了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；在衬底表面制作栅极；沉积层间介质层；在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。

背景技术

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)器件是一种常用的功率器件，击穿电压和导通电阻为衡量其性能的重要指标。

击穿电压是衡量LDMOS器件性能的重要参数，指的是在保证不被击穿的情况下，LDMOS器件的漏极和栅极之间能够施加的最大电压。在传统的LDMOS器件上，击穿电压和导通电阻互相限制，只能在导通电阻和击穿电压之间取得一个平衡点，目前已经可以采取栅极场板或金属场板，使得击穿电压得到一定的提高。

发明内容

为了解决相关技术的问题，本申请提供了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制作方法，该方法包括：

提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；

在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；

在衬底表面制作栅极；

沉积层间介质层；

在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；

其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小。

可选的，在矩形槽阵列中，矩形槽的开口长度相同，矩形槽的开口宽度等比例缩小。

可选的，LDMOS器件为N型LDMOS器件；

矩形槽阵列位于N型漂移区的上方。

可选的，LDMOS器件为P型LDMOS器件；

矩形槽阵列位于P型漂移区的上方。

第二方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内包括体接触区和源区，体接触区和源区之间设置有浅沟槽隔离，漂移区的一端设置有漏区，栅极设置在衬底表面；

体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；

层间介质层内还包括矩形槽阵列，矩形槽阵列位于漂移区的上方；

其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小。

可选的，在矩形槽阵列中，矩形槽的开口长度相同，矩形槽的开口宽度等比例缩小。

可选的，栅极两侧设置有栅极侧墙。

可选的，栅极下方设置有介质层；

介质层的材料为二氧化硅。

可选的，体区和漂移区位于N型深阱的上方。