[发明专利]气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法有效
申请号: | 201911324538.7 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111048451B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 王家儒;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;张昊 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 流通 装置 退火炉 以及 太阳能电池 进行 退火 方法 | ||
本公开涉及气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法。例如,提供了一种气体流通装置,适于向太阳能电池硅片提供用于退火的气体。该气体流通装置可以包括第一端部,设置有适于接收用于退火的气体的进气口。该气体流通装置还可以包括与所述第一端部相邻的第二端部。该气体流通装置进一步包括弯曲管状主体,位于所述第一端部与所述第二端部之间,所述弯曲管状主体上间隔地设置有多个出气口,该多个出气口适于将所述用于退火的气体传递至将被退火的所述太阳能电池硅片的表面。以此方式,可以提升退火操作的均匀性,使太阳能电池硅片表面上形成的硅化物膜更加均匀。
技术领域
本公开涉及太阳能电池领域,更具体地,涉及气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法。
背景技术
太阳能电池的平价化是从业人员不断追求的目标。常规PERC(钝化发射极和背面电池技术)电池的转换效率逐渐接近理论值,单从技术上提高转换效率、降低生产成本已变得愈发困难。增大太阳能电池硅片的尺寸则是另一种降低生产成本的简易途径。太阳能电池硅片的尺寸增大能够节约生产资源,达到减小电池制造成本的目的。现有常规PERC电池的基本制备流程依次包括:制绒—扩散—刻蚀—正面激光—退火—PERC—PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)—背面开槽—印刷电极—烧结。
在类似制备流程中,退火的作用是:在太阳能电池硅片表面形成SiO2膜,以便阻挡杂质离子,提高太阳能电池硅片的抗PID性能,还可以降低太阳能电池硅片表面的掺杂原子浓度。但是,由于太阳能电池硅片的尺寸增大,气流因素引起的太阳能电池硅片表面SiO2膜的不均匀性将变得更加严重,影响产品的一致性和效率。因此,急需开发一种适用于大尺寸太阳能电池硅片的退火进气方法,用于改善大尺寸太阳能电池硅片表面的SiO2膜或其他硅化物膜的均匀性。
发明内容
根据本公开的示例实施例,提供了一种用于对太阳能电池硅片进行退火的方案。
在本公开的第一方面中,提供了一种气体流通装置,适于向太阳能电池硅片提供用于退火的气体。该气体流通装置可以包括第一端部,设置有适于接收用于退火的气体的进气口。该气体流通装置还可以包括与所述第一端部相邻的第二端部。该气体流通装置进一步包括弯曲管状主体,位于所述第一端部与所述第二端部之间,所述弯曲管状主体上间隔地设置有多个出气口,该多个出气口适于将所述用于退火的气体传递至将被退火的所述太阳能电池硅片的表面。
在某些实施例中,所述弯曲管状主体包括:与所述第一端部连接的第一部分,所述第一部分上间隔地设置有多个出气口;与所述第二端部连接的第二部分,所述第二部分上间隔地设置有多个出气口;以及弯曲连接部分,设置在所述第一部分和所述第二部分之间,并且与所述第一部分和所述第二部分流体连通。
在某些实施例中,所述第一部分与所述第二部分并行延伸。
在某些实施例中,所述第一部分上的出气口的数目等于所述第二部分上的出气口的数目。
在某些实施例中,所述第一部分与所述第二部分均为直管。
在某些实施例中,弯曲管状主体的内径在6到18毫米之间,并且其中所述多个出气口的直径在1到3毫米之间。
在某些实施例中,所述第二端部设置有排气口或者被封闭。
在本公开的第二方面中,提供了一种退火炉。该退火炉可以包括腔体,适于容纳将被退火的太阳能电池硅片。该退火炉还可以包括根据本公开的第一方面中所述的气体流通装置,至少部分地被容纳在所述腔体中,使得所述多个出气口朝向所述太阳能电池硅片。
在某些实施例中,该退火炉还包括:气体供应装置,被耦合至所述进气口以供应所述用于退火的气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造