[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池在审
申请号: | 201911325248.4 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111129176A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 石强;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;张昊 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
在经镀膜的硅衬底上形成多个开口,以露出所述硅衬底的多个部分,其中所述多个开口被形成为均匀分布的图案并且所述多个开口中的任意两个开口之间的距离不低于200微米;以及
在所述多个部分上形成电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述多个部分上形成所述电极包括:
使用浆料对所述硅衬底进行丝网印刷以使得所述浆料填充所述多个部分。
3.根据权利要求2所述的方法,其中使用所述浆料对所述硅衬底进行丝网印刷以使得所述浆料填充所述多个部分包括:
使用铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷,以在所述硅衬底上形成铝层,其中所述铝层的重量为600毫克到1100毫克,并且所述铝层的厚度为10微米到20微米。
4.根据权利要求3所述的方法,其中使用所述铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷包括:
使用包含抑制剂的所述铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷,以降低所述铝浆与所述硅衬底的柯肯达尔扩散效应。
5.根据权利要求3所述的方法,其中使用所述浆料对所述硅衬底进行丝网印刷包括:使用厚度为20微米到60微米的铝背场网版对所述硅衬底进行丝网印刷。
6.根据权利要求1所述的方法,其中在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:
在经镀膜的所述硅衬底上形成相邻两个开口之间的间距为200微米到2000微米的所述多个开口。
7.根据权利要求1所述的方法,其中在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:
在经镀膜的所述硅衬底上形成形状为圆形的所述多个开口,其中所述多个开口中的每个开口的直径为20微米到40微米。
8.根据权利要求1所述的方法,其中在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:
在经镀膜的正方形的所述硅衬底上形成所述多个开口,其中所述硅衬底的边长在125毫米-220毫米之间。
9.一种太阳能电池,根据权利要求1至8中任一项所述的方法制造而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的