[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池在审
申请号: | 201911325248.4 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111129176A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 石强;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;张昊 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
本公开涉及用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池。在此描述的用于制造太阳能电池的方法包括在经镀膜的硅衬底上形成多个开口,以露出所述硅衬底的多个部分。例如,所述多个开口被形成为均匀分布的图案并且所述多个开口中的任意两个开口之间的距离不低于200微米。该方法还可以包括在所述多个部分上形成电极。通过实施本公开的实施例,可以在制造太阳能电池过程中产生铝空洞,并且能够减少太阳能电池的弯曲度和铝扩效应。
技术领域
本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池。
背景技术
太阳能电池具有绿色经济、安全便利及高效环保等特点,将逐步替代石化能源成为全球未来新能源的主要配置。太阳能电池的平价化是从业人员不断追求的目标。常规PERC(钝化发射极和背面电池技术)电池的转换效率逐渐接近理论值,单从技术上提高转换效率、降低生产成本已变得愈发困难。增大太阳能电池硅片的尺寸则是另一种降低生产成本的简易途径。然而,太阳能电池硅片的尺寸将带来诸如背面弯曲、铝扩、甚至铝空洞的问题,进而影响太阳能电池的产品质量和能量转换效率。因此,需要开发一种能够解决上述问题的制造太阳能电池的方法。
发明内容
根据本公开的示例实施例,提供了一种太阳能电池的制造方案。
在本公开的第一方面中,提供了一种用于制造太阳能电池的方法。该方法包括在经镀膜的硅衬底上形成多个开口,以露出所述硅衬底的多个部分。例如,所述多个开口被形成为均匀分布的图案并且所述多个开口中的任意两个开口之间的距离不低于200微米。该方法还可以包括在所述多个部分上形成电极。
在某些实施例中,在所述多个部分上形成所述电极包括:使用浆料对所述硅衬底进行丝网印刷以使得所述浆料填充所述多个部分。
在某些实施例中,使用所述浆料对所述硅衬底进行丝网印刷以使得所述浆料填充所述多个部分包括:使用铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷,以在所述硅衬底上形成铝层,其中所述铝层的重量为600毫克到1100毫克,并且所述铝层的厚度为10微米到20微米。
在某些实施例中,使用所述铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷包括:使用包含抑制剂的所述铝浆对所述硅衬底进行丝网印刷,以降低所述铝浆与所述硅衬底的柯肯达尔扩散效应。
在某些实施例中,使用所述浆料对所述硅衬底进行丝网印刷包括:使用厚度为20微米到60微米的铝背场网版对所述硅衬底进行丝网印刷。
在某些实施例中,在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:在经镀膜的所述硅衬底上形成相邻两个开口之间的间距为200微米到2000微米的所述多个开口。
在某些实施例中,在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:在经镀膜的所述硅衬底上形成形状为圆形的所述多个开口,其中所述多个开口中的每个开口的直径为20微米到40微米。
在某些实施例中,在经镀膜的所述硅衬底上形成所述多个开口包括:在经镀膜的正方形的所述硅衬底上形成所述多个开口,其中所述硅衬底的边长在125毫米-220毫米之间。
在本公开的第二方面中,提供了一种太阳能电池,根据本公开的第一方面中所述的方法制造而成。
应当理解,发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征,亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明,本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中,相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素,其中:
图1A示出了用于传统的开膜工艺的开膜形状及其组成的阵列图案;
图1B示出了传统的电极形成工艺所产生的铝空洞的剖面示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的