[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池在审
申请号: | 201911325295.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111129218A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 易紫莹;韩大伟;张小明;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;崔卿虎 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
对经掺杂的硅衬底进行刻蚀;
将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中,以清洗所述硅衬底;以及
对经清洗的所述硅衬底进行干燥。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为乙醇、丙酮和异丙醇中的至少一个的水溶液中。
3.根据权利要求2所述的方法,其中将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质与水的体积比在1:5至1:20之间的所述水溶液中。
4.根据权利要求3所述的方法,其中将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质与水的体积比为1:10的所述水溶液中。
5.根据权利要求4所述的方法,其中将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质的循环流量为2L/min以及水的循环流量为20L/min的所述水溶液中。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀之前,通过第一湿刻蚀来对经掺杂的所述硅衬底进行抛光。
7.根据权利要求6所述的方法,其中对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀包括:通过第二湿刻蚀来去除所述硅衬底上的氧化硅和磷硅玻璃。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,进一步包括:
在对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀之后并且在将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中之前:
利用水来清洗经刻蚀的所述硅衬底;以及
通过第三湿刻蚀来对经清洗的所述硅衬底进行刻蚀。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,进一步包括:
在对经清洗的所述硅衬底进行干燥之后,对所述硅衬底进行退火。
10.一种太阳能电池,根据权利要求1至9中任一项所述的方法制造而成。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的