[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池在审
申请号: | 201911325295.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111129218A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 易紫莹;韩大伟;张小明;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;崔卿虎 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
本文描述了用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池。在此描述的用于制造太阳能电池的方法包括:对经掺杂的硅衬底进行刻蚀;将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中,以清洗所述硅衬底;以及对经清洗的所述硅衬底进行干燥。还描述了利用该方法制造的太阳能电池。根据本公开的实施例,能够改善太阳能电池表面小白点现象,并且提高光电转换效率。
技术领域
本公开的实施例一般地涉及太阳能电池技术领域,并且更具体地涉及改善表面白点现象并且提高光电转换效率的用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池。
背景技术
随着具有PERC(钝化发射极和背面电池)结构的太阳能电池的大量产出,并且搭配SE(选择发射极)技术,晶体硅太阳能电池的光电转换效率有了大幅度的提升。进入PERC+时代,双面太阳能电池的两面均可受光发电。经地面或者草坪反射的光照射到太阳能电池背面,从而使发电量有较大的增益。与此同时,在制备具有PERC+结构的太阳能电池的过程中,印刷背面铝浆的单耗减少,从而降低了晶体硅太阳能电池的制作成本。因此,具有PERC+结构的太阳能电池已逐渐成为晶体硅太阳能电池市场中的主流产品。
然而,在制备具有PERC+结构的太阳能电池的过程中存在很多问题。例如,在湿刻蚀过程中,空间洁净度、半成品电池的在置时间等外界因素对太阳能电池的外观造成一定程度的影响。此外,硅衬底表面上的药液残留、雨点状气泡印及硅衬底带液烧伤等现象不仅对成品太阳能电池的外观造成影响,也会降低成品太阳能电池的光电转换效率。
在沉积背面钝化减反射膜之后,一些现象可能以肉眼可见的小白点的形式显现出来。这些小白点对具有PERC+结构的太阳能电池背面的外观影响十分严重,导致大量半成品电池需要返工处理。而且,小白点的存在导致硅衬底表面缺陷态的产生,光生载流子很容易在其周围复合,这会降低太阳能电池的开路电压及短路电流。
因此,期望开发用于太阳能电池的改进方案,在改善太阳能电池的表面白点不良现象的同时,提高太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
一般地,本公开的实施例提供了用于制造太阳能电池的方法以及由此方法制造的太阳能电池。
在第一方面,提供了一种用于制造太阳能电池的方法。该方法包括:对经掺杂的硅衬底进行刻蚀;将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中,以清洗所述硅衬底;以及对经清洗的所述硅衬底进行干燥。
在一些实施例中,将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为乙醇、丙酮和异丙醇中的至少一个的水溶液中。
在一些实施例中,将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质与水的体积比在1:5至1:20之间的所述水溶液中。
在一些实施例中,将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质与水的体积比为1:10的所述水溶液中。
在一些实施例中,将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中包括:将经刻蚀的所述硅衬底放置在有机溶质的循环流量为2L/min以及水的循环流量为20L/min的所述水溶液中。
在一些实施例中,所述方法进一步包括:在对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀之前,通过第一湿刻蚀来对经掺杂的所述硅衬底进行抛光。
在一些实施例中,对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀包括:通过第二湿刻蚀来去除所述硅衬底上的氧化硅和磷硅玻璃。
在一些实施例中,所述方法进一步包括:在对经掺杂的所述硅衬底进行刻蚀之后并且在将经刻蚀的所述硅衬底放置在溶质为有机溶质的水溶液中之前:利用水来清洗经刻蚀的所述硅衬底;以及通过第三湿刻蚀来对经清洗的所述硅衬底进行刻蚀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911325295.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的