[发明专利]改善OTP性能的方法在审
| 申请号： | 201911325809.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111146149A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王乐平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 otp 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善OTP性能的方法，其特征在于：在形成PMOS的P型轻掺杂漏区或者重掺杂P型区时，降低倾斜注入的注入能量及注入剂量。
2.如权利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的注入能量降低10～20%。
3.如权利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的注入剂量从降低20～30%。
4.如权利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的降低倾斜注入的注入能量及注入剂量能改善OTP干扰失效。
5.如权利要求1所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述方法还包括，在形成PMOS的P型轻掺杂漏区之前做栅极侧墙时，降低栅极介质层的厚度，即降低栅极侧墙的厚度。
6.如权利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：所述的栅极介质层的淀积厚度从降低10%左右。
7.如权利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：在P型轻掺杂漏区注入之后，再通过阈值电压调节注入将所形成的器件的阈值电压调回到目标值。
8.如权利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：还包括降低N型轻掺杂漏区注入剂量，以调整NMOS器件的饱和漏电流，减小热载流子效应。
9.如权利要求5所述的改善OTP性能的方法，其特征在于：降低栅极侧墙的厚度能改善弱编程性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
