[发明专利]一种LYSO晶片的制造保护方法在审
申请号: | 201911326459.X | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111113703A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 武志龙;汪新伟;丁言国;叶崇志 | 申请(专利权)人: | 上海新漫晶体材料科技有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D7/04;B24B1/00;B24B37/08;B24B29/02;B24B41/00 |
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地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lyso 晶片 制造 保护 方法 | ||
本发明公开了一种LYSO晶片的制造保护方法,包括晶片第1面和第2面粘接固定;晶片第1面和第2面研磨抛光;晶片群第3面和第4面研磨抛光;晶体群二型保护片固定;小晶体群切割;晶片群第3面3和第4面4研磨抛光;小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光;保护片脱离等步骤,最终的小晶体群的尺寸为18.1×2.76×2.76mm;并将一型保护片和二型保护片拆除;最终的LYSO晶片;本发明采用了LYSO晶片的制造方法,尤其在小截面的LYSO晶片的制造方面,减少了发生崩边等问题,提升了晶片的质量,降低了加工成本使得LYSO晶片在上述的研磨时晶片可以得到有效保护,降低了成本。
技术领域
本发明涉及晶体加工研磨,尤其涉及一种LYSO晶片的制造保护方法。尤其涉及一种在研磨时保护晶片的技术。
背景技术
近年来,随着高能物理、核技术、核医学等领域的快速发展,无机闪烁晶体的应用领域不断拓宽,对其中的核心元件———闪烁晶体材料提出了更高要求。
Ce:LYSO晶体的光输出高,衰减时间短(38ns),能更快地进行响应,器件的时间、空间分辨率都有很大提高;密度为7.10g/cm3,有利于探测器小型化;发光波长420ns,与光电倍增管的光阴极匹配;其优良的温度特性及良好的物理化学性质能拓宽晶体的应用范围。
PET-CT在医学成像领域有其独特的优势,其核心部件即为闪烁晶体组成的阵列,因此需要对晶体进行加工研磨。在研磨时,若不对晶片采取保护措施,则很容易发生崩边等问题,影响晶片质量,增加加工成本。
基于以上问题,提出了一种LYSO晶片的制造保护方法尤其是在研磨时保护晶片的技术,在晶片周围粘贴青玻璃(浮法玻璃),以uv紫外固化胶在紫外环境下固定,研磨后适当加热即可分离,然后酒精擦拭。采用此种方法后,研磨时晶片可以得到有效保护,降低了成本。
发明内容
在本发明中针对上述的不足,提供了一种LYSO晶片的制造保护方法,其特征在于,包括以下的步骤:
步骤S10:晶片第1面和第2面粘接固定:先将切割后尺寸:长为46.5mm-46.6mm,高为18.6mm-18.8mm,宽为2.9mm-2.92mm;单晶片的第1面和第2面研磨抛光,将经过第一次研磨抛光的晶片第1面和第2面用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接,然后以10片一批次沿第1面和第2面将单晶片粘接固定,最外两侧粘接一型保护片,得到晶体群;
步骤S20:晶片第1面和第2面研磨抛光:将步骤S10中得到的晶片群,在双面研磨机粗研磨,研磨液为金刚砂,粗磨厚度至2.81mm;然后放置在精抛光机抛光,抛光液为CeO2,抛光尺寸至2.76mm±0.01mm;
步骤S30:晶片群第3面和第4面研磨抛光:将步骤S20中得到的晶片群翻转,再将晶片群第3面和第4面,在双面研磨机粗研磨,研磨液为金刚砂;然后放置在精抛光机抛光,抛光液为CeO2,抛光至高度为18.10mm±0.01mm;
步骤S40:晶体群二型保护片固定:将S30中得到的晶体群的最外侧晶片的第3面和第4面与二型保护片用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接固定;
步骤S50:切割:将步骤S40中的晶体群用内圆切割机沿第3面和第4面切割加工,切削厚度2.9mm;得到切割后的小晶体群;
步骤S60:晶片群第5面和第6面研磨抛光:将步骤S50中得到的小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光,在双面研磨机粗研磨,研磨液为金刚砂;然后放置在精抛光机抛光,抛光液为CeO2,最终的小晶体群的尺寸:长度为18.1mm-18.11mm,高度为2.76-2.77mm,宽度为2.76mm-2.77mm;;
步骤S70:保护片脱离:将一型保护片和二型保护片,经加热后与晶片脱离,然后酒精擦拭小晶体群,将紫外固化胶擦拭掉,得到最终的LYSO晶片。
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