[发明专利]用于改进的热传递和温度均匀性的加热的基座设计在审
申请号: | 201911327919.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111463146A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改进 传递 温度 均匀 加热 基座 设计 | ||
1.一种基座,所述基座包括:
主体,所述主体具有设置在所述主体中的加热器,其中所述主体包括:
图案化的表面,所述图案化的表面包括:
第一区域,所述第一区域具有从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱;以及
第二区域,所述第二区域围绕所述第一区域,所述第二区域具有从所述基底表面延伸的第二多个柱,其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面为基本上共面的并且限定基板接收表面,并且其中所述图案化的表面包括一个或多个裸位置。
2.根据权利要求1所述的基座,其中所述基底表面的平均表面粗糙度大于每个所述柱的所述上表面的平均表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的基座,其中所述第一多个柱中的每一者以第一高度从所述基底表面延伸,并且所述第二多个柱中的每一者以第二高度从所述基底表面延伸,所述第二高度不同于所述第一高度。
4.根据权利要求3所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
5.根据权利要求3所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的2倍。
6.根据权利要求3所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的2.5倍。
7.根据权利要求3所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的3倍。
8.根据权利要求3所述的基座,所述基座还包括第三多个柱,所述第三多个柱以与所述第一高度和所述第二高度不同的高度从所述基底表面延伸。
9.根据权利要求1所述的基座,其中所述第一区域的表面积小于所述第二区域的表面积。
10.一种基座,所述基座包括:
主体,所述主体具有嵌入在所述主体中的加热器,所述主体包括:
图案化的表面,所述图案化的表面包括:
中心区域,所述中心区域具有第一多个柱,所述第一多个柱以第一高度从所述主体的基底表面延伸;以及
周边区域,所述周边区域围绕所述中心区域,所述周边区域具有第二多个柱,
所述第二多个柱以大于所述第一高度的第二高度从所述基底表面延伸。
11.根据权利要求10所述的基座,其中所述基底表面的平均表面粗糙度大于所述柱中的每一者的上表面的平均表面粗糙度。
12.根据权利要求10所述的基座,其中所述第一多个柱中的每一者定位在凸起表面上,并且所述第二多个柱中的每一者定位在凹陷表面上。
13.根据权利要求10所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
14.根据权利要求10所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的2倍。
15.根据权利要求10所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的2.5倍。
16.根据权利要求10所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的3倍。
17.根据权利要求10所述的基座,其中所述第二高度是所述第一高度的3.5倍。
18.根据权利要求10所述的基座,其中所述中心区域的表面积小于所述周边区域的表面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造