[发明专利]用于改进的热传递和温度均匀性的加热的基座设计

说明书

本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。

技术领域

本公开内容的实施方式总体上涉及用于半导体器件制造工艺中使用的加热的基座的方法和设备。

背景技术

在基板上的电子器件的制造中，诸如半导体基板等的基板经受许多热工艺。热工艺通常在处理腔室中执行，在所述处理腔室中沉积或去除材料，或者以受控方式加热基板。此类工艺包括外延沉积、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、蚀刻、退火等。

基板通常由加热的基板支撑件或基座支撑在处理腔室中，所述加热的基板支撑件或基座将热量传递至基板。然而，由于加热机构的设计和布局，基座可能提供不均匀的温度场，这阻止了基板的某些部分以与基板的其他部分相同的速率被加热。这导致被加热的基板的温度不均匀性。

因此，需要一种改进的基座，所述改进的基座提供在其上被加热的基板中的更高的温度均匀性。

发明内容

本公开内容的实施方式总体上涉及一种用于可用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性的基座的设备和方法。在一个实施方式中，公开了一种基座，所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。

在另一个实施方式中，公开了一种基座，所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括中心区域和围绕所述中心区域的周边区域，所述中心区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。

在另一个实施方式中，公开了一种方法，所述方法包括形成其中嵌入有加热器的陶瓷主体；在所述陶瓷主体的上表面中形成多个柱，使得每个柱都从陶瓷主体延伸第一高度；在所述多个柱的第一部分上放置掩模；以及增大所述多个柱的第二部分的第一深度。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征，可以参考实施方式来对以上简要概述的公开内容进行更具体的描述，所述材料中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性的实施方式，因此不应被认为是对范围的限制，并且可以允许其他等效的实施方式。

图1是根据本文所述的一个实施方式的工艺腔室的示意性横截面图。

图2A是具有图案化的表面的一个实施方式的图1的基座的俯视平面图。

图2B是图2A的基座的截面图。

图3A至图3D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座制造方法的一个实施方式的各种截面图。

图4A至图4D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座制造方法的另一实施方式的各种截面图。

图5至图7是具有如图所示轮廓的图案化的表面的各种其他实施方式的基座的截面图。

图8A是根据另一个实施方式的可以在图1的腔室中使用的基座的俯视平面图。

图8B是图8A的基座的一部分的放大平面图。