[发明专利]用于将感测组件充电的技术在审

专利信息
申请号: 201911328993.4 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111383672A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: G·B·雷德;J·F·施雷克 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C8/08;G11C8/14
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 将感测 组件 充电 技术
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

将感测组件的感测节点充电到第一预充电电压,所述感测节点与第一晶体管及第二晶体管耦合,所述第二晶体管经配置以将所述感测节点与电压源选择性地耦合;

至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第一预充电电压而将所述第一晶体管的栅极偏置到第一电压;

至少部分地基于将所述第一晶体管的所述栅极偏置到所述第一电压而将所述感测节点充电到不同于所述第一预充电电压的第二预充电电压;

至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第二预充电电压而将所述感测节点与相关联于存储器单元的数字线耦合;及

至少部分地基于将所述感测节点与所述数字线耦合而确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

激活所述第二晶体管以将所述感测节点与经配置以在读取操作的第一持续时间期间输出所述第一预充电电压的所述电压源耦合,其中将所述感测节点充电到所述第一预充电电压至少部分地基于激活所述第二晶体管。

3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:

在所述第一持续时间之后将所述第二晶体管撤销激活,其中将所述第一晶体管的所述栅极偏置到所述第一电压至少部分地基于将所述第二晶体管撤销激活。

4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

激活所述第二晶体管以将所述感测节点与经配置以在读取操作的第二持续时间期间输出所述第二预充电电压的所述电压源耦合,其中将所述感测节点充电到所述第二预充电电压至少部分地基于激活所述第二晶体管。

5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第二预充电电压而在将所述感测节点与所述数字线耦合之前将所述第二晶体管撤销激活。

6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于将所述感测节点与所述数字线耦合而使用所述第一晶体管在所述数字线与所述感测节点之间转移电荷,其中确定存储于所述存储器单元上的所述逻辑状态至少部分地基于转移所述电荷。

7.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述第二晶体管为经配置以将输入/输出I/O线与所述感测节点选择性地耦合的列选择晶体管。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

激活第三晶体管,所述第三晶体管与所述感测节点耦合且经配置以在确定存储于所述存储器单元上的所述逻辑状态之后将所述感测节点与输入/输出I/O线选择性地耦合。

9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第一预充电电压而将所述电压源的输出修改为不同于所述第一预充电电压的电压。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二预充电电压大于所述第一预充电电压;且所述第一预充电电压大于所述第一晶体管的所述栅极的所述第一电压。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二预充电电压大于所述数字线的第二电压,所述数字线的所述第二电压至少部分地基于存储于所述存储器单元上的所述逻辑状态。

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