[发明专利]用于将感测组件充电的技术

说明书

本申请案针对于用于将感测组件充电的技术。所述感测组件的节点可使用切换组件与电荷转移装置且与电压源耦合。所述电压源可经配置以在存取操作的不同阶段期间输出不同电压(例如，两个不同预充电电压)。所述切换组件可经配置以将所述节点与所述电压源选择性地耦合，且所述不同电压可用于在所述存取操作的不同阶段期间将所述节点预充电。所述电压源的所述不同电压可提供充足感测窗。

交叉参考

本专利申请案主张拉德(Raad)等人于2018年12月26日提出申请、受让给本受让人且以其全文引用方式明确地并入的标题为“用于将感测组件充电的技术(TECHNIQUES FORCHARGING A SENSE COMPONENT)”的第16/232,327号美国专利申请案的优先权。

技术领域

技术领域涉及用于将感测组件充电的技术。

背景技术

下文一般涉及操作存储器装置且更具体来说涉及用于将感测组件充电的技术。

存储器装置广泛地用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)中。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。举例来说，二进制装置最通常存储两个状态中的一者，所述两个状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息，电子装置的组件可将所述状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它存储器。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其所存储状态，除非其由外部电源周期性地刷新。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其所存储逻辑状态达延长时间周期。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或减少制造成本，以及其它度量。一些存储器单元可经配置以存储多个状态。还可期望改进存储器装置的感测组件的效率(例如，较少电力消耗、经改进感测准确度)。

发明内容

本发明描述一种方法。所述方法可包含：将感测组件的感测节点充电到第一预充电电压，所述感测节点与第一晶体管及第二晶体管耦合，所述第二晶体管经配置以将所述感测节点与电压源选择性地耦合；至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第一预充电电压而将所述第一晶体管的栅极偏置到第一电压；至少部分地基于将所述第一晶体管的所述栅极偏置到所述第一电压而将所述感测节点充电到不同于所述第一预充电电压的第二预充电电压；至少部分地基于将所述感测节点充电到所述第二预充电电压而将所述感测节点与相关联于存储器单元的数字线耦合；及至少部分地基于将所述感测节点与所述数字线耦合而确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态。

本发明描述一种存储器装置。所述存储器装置可包含：存储器单元，其与数字线耦合；感测组件，其经配置以在读取操作期间确定存储于所述存储器单元上的逻辑状态；第一晶体管，其与所述感测组件耦合且经配置以在所述数字线与所述感测组件之间转移电荷；及第二晶体管，其经配置以将所述感测组件与电压源选择性地耦合，所述电压源经配置以在所述读取操作的第一持续时间期间将所述感测组件预充电到第一预充电电压且在所述读取操作的第二持续时间期间将所述感测组件预充电到第二预充电电压，其中所述第二晶体管经配置以在所述读取操作期间将所述第一预充电电压及所述第二预充电电压施加到所述第一晶体管的节点。