[发明专利]晶闸管以及晶闸管的制备方法

权利要求书

1.一种晶闸管，其特征在于，包括：

N型衬底，所述N型衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

在背离所述第二表面的方向上，所述第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，所述P型第二掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度；

在背离所述第一表面的方向上，所述第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第三掺杂区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第二掺杂区的掺杂浓度；和/或，

所述P型第三掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，在背离所述第二表面的方向上，所述P型第二掺杂区之上间隔设置有阴极和栅极；和/或，

在背离所述第一表面的方向上，所述P型第四掺杂区之上设置有阳极。

4.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，还包括N型第一掺杂区，位于所述P型第二掺杂区与所述阴极之间。

5.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，还包括N型第二掺杂区，位于所述P型第二掺杂区与部分所述阴极之间、位于所述P型第二掺杂区与所述栅极之间、以及位于所述P型第二掺杂区与部分所述阳极之间。

6.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于，还包括钝化层，覆盖所述栅极与所述阴极之间的间隔部分。

7.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述晶闸管包括单台面、双台面以及平面型中的任意一种。

8.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第一掺杂区的厚度大于或等于20微米，且小于或等于60微米；和/或，所述P型第三掺杂区的厚度大于或等于20微米，且小于或等于60微米。

9.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第二掺杂区的厚度大于或等于10微米，且小于或等于25微米；和/或，

所述P型第四掺杂区的厚度大于或等于10微米，且小于或等于25微米。

10.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第一掺杂区的掺杂浓度大于或等于1*10¹⁴/cm³，且小于或等于1*10¹⁶/cm³；和/或，所述P型第三掺杂区的掺杂大于或等于1*10¹⁴/cm³，且小于或等于1*10¹⁶/cm³。

11.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第二掺杂区的元素的掺杂浓度大于或等于1*10¹⁶/cm³，且小于或等于1*10¹⁸/cm³；和/或，

所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于或等于1*10¹⁶/cm³，且小于或等于1*10¹⁸/cm³。

12.根据权利要求1-6任一所述的晶闸管，其特征在于，所述P型第一掺杂区包括元素镓、以及铝和/或硼，所述P型第二掺杂区包括元素镓、以及铝和/或硼；所述P型第三掺杂区包括元素镓、以及铝和/或硼，所述P型第四掺杂区包括元素镓、以及铝和/或硼。