[发明专利]晶闸管以及晶闸管的制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种晶闸管以及晶闸管的制备方法，该晶闸管包括：N型衬底，N型衬底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；在背离第二表面的方向上，第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，P型第二掺杂区的掺杂浓度大于P型第一掺杂区的掺杂浓度；在背离第一表面的方向上，第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，P型第四掺杂区的掺杂浓度大于P型第三掺杂区的掺杂浓度。本发明实施例提供的技术方案提高了晶闸管的正向耐压和反向耐压。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶闸管以及晶闸管的制备方法。

背景技术

晶闸管是一种用于大容量电力电子装置中的电力半导体器件，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

现有技术中的晶闸管的耐压数值约是600V-1000V，目前亟需一种具有更高耐压性能的晶闸管。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种晶闸管以及晶闸管的制备方法，解决了现有技术中的晶闸管耐压数值不高的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种晶闸管，包括：

N型衬底，所述N型衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

在背离所述第二表面的方向上，所述第一表面侧依次设置有P型第一掺杂区以及P型第二掺杂区，所述P型第二掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度；

在背离所述第一表面的方向上，所述第二表面侧依次设置有P型第三掺杂区以及P型第四掺杂区，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度大于所述P型第三掺杂区的掺杂浓度。

可选地，所述P型第四掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第二掺杂区的掺杂浓度；和/或，

所述P型第三掺杂区的掺杂浓度等于所述P型第一掺杂区的掺杂浓度。

可选地，在背离所述第二表面的方向上，所述P型第二掺杂区之上间隔设置有阴极和栅极；和/或，

在背离所述第一表面的方向上，所述P型第四掺杂区之上设置有阳极。

可选地，还包括N型第一掺杂区，位于所述P型第二掺杂区与所述阴极之间。

可选地，还包括N型第二掺杂区，位于所述P型第二掺杂区与部分所述阴极之间、位于所述P型第二掺杂区与所述栅极之间、以及位于所述P型第二掺杂区与部分所述阳极之间。

可选地，还包括钝化层，覆盖所述栅极与所述阴极之间的间隔部分。

可选地，所述晶闸管包括单台面、双台面以及平面型中的任意一种。

可选地，所述P型第一掺杂区的厚度大于或等于20微米，且小于或等于60微米；和/或，所述P型第三掺杂区的厚度大于或等于20微米，且小于或等于60微米。

可选地，所述P型第二掺杂区的厚度大于或等于10微米，且小于或等于25微米；和/或，

所述P型第四掺杂区的厚度大于或等于10微米，且小于或等于25微米。

可选地，所述P型第一掺杂区的掺杂浓度大于或等于1*10¹⁴/cm³，且小于或等于1*10¹⁶/cm³；和/或，所述P型第三掺杂区的掺杂大于或等于1*10¹⁴/cm³，且小于或等于1*10¹⁶/cm³。