[发明专利]一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器在检测噻虫嗪的应用有效
申请号: | 201911329996.X | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110988071B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 汪洪武;刘艳清;姚夙;朱培杰 | 申请(专利权)人: | 肇庆学院 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/48 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
地址: | 526000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 羟基 多壁碳 纳米 立方 ia3d 结构 介孔碳 电化学传感器 检测 噻虫嗪 应用 | ||
1.一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,所述的电化学传感器用于对噻虫嗪进行检测,其特征在于,该电化学传感器的制备包括以下步骤:
(1)玻碳电极的处理:
将直径为3mm的玻碳电极先用粒径为0.05μm的γ-氧化铝打磨,再用重蒸水超声清洗,室温下晾干,得到玻碳电极前处理物;
(2)石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳的修饰:
先取石墨化羟基多壁碳纳米管分散液滴涂于所述玻碳电极前处理物表面,置于红外灯下照射至干燥,即得石墨化羟基多壁碳纳米管修饰电极前处理物;再取立方Ia3d结构介孔碳分散液滴涂于所述石墨化羟基多壁碳纳米管修饰电极前处理物的表面,再次置于红外灯下照射至干燥,得到石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳修饰电极前处理物;
(3)石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳修饰电极的构建:
将所述石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳修饰电极前处理物置于PBS缓冲溶液中,使用微分脉冲伏安法扫描使其稳定,随后在1000rpm磁力搅拌下进行恒电位富集,即得到石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳修饰电极;
其中,微分脉冲伏安法扫描时的电位区间为-0.8V~-1.3V,两次扫描之间间隔1min;
恒电位富集的电位区间为-0.5V~-0.9V,富集时间0~5min;
(4)电化学传感器的设置:
以工作电极为所述石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳修饰电极,对电极为中空钛棒,参比电极为饱和甘汞电极,即得到电化学传感器;
所述石墨化羟基多壁碳纳米管分散液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;所述石墨化羟基多壁碳纳米管分散液的浓度为2mg/mL;所述石墨化羟基多壁碳纳米管分散液用量为2μL;
所述立方Ia3d结构介孔碳分散液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;所述立方Ia3d结构介孔碳分散液的浓度为2mg/mL;所述立方Ia3d结构介孔碳分散液用量为3μL。
2.根据权利要求1所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,所述步骤(3)中PBS缓冲溶液的浓度为0.2mol/L。
3.根据权利要求1所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,富集电位为-0.7V。
4.根据权利要求1所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,所述富集时间为3min。
5.根据权利要求1所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,所述的对噻虫嗪进行检测,具体是:
将所述电化学传感器置于装载有电解液的电解池中,使用微分脉冲伏安法检测待测物中噻虫嗪的浓度;在对噻虫嗪进行检测之前,先通入高纯氮气,以除尽所述电解液中的溶解氧;
其中,所述电解液为PBS缓冲溶液;所述电解池的容积为25mL,每次检测时装载电解液体积为20mL,采用电磁搅拌器进行搅拌。
6.根据权利要求1所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,所述PBS缓冲溶液的浓度为0.2mol/L。
7.根据权利要求5所述的一种石墨化羟基多壁碳纳米管@立方Ia3d结构介孔碳电化学传感器的应用,其特征在于,所述电解池中液体的pH=10.0。
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