[发明专利]一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法在审
| 申请号： | 201911330747.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111146271A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王华;刘学明;赵昕;张文敏;王昊 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 茹阿昌 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 终端 结构 mosfet 制备 方法 | ||
1.一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，包括：N+型衬底(1)、N型外延层(2)、源极(8)、栅极(6)和漏极(9)、钝化层(7)；
N+型衬底(1)上表面附着有N型外延层(2)；
N型外延层(2)的部分区域加工有多个阵列的P柱(31)，所述P柱(31)采用深沟槽干法刻蚀工艺进行制备；
两相邻P柱(31)之间作为N柱(32)；N型外延层(2)上P柱(31)和N柱(32)所在区域作为超结区；
在P柱(31)和N柱(32)的上表面通过浅离子注入一层阱(33)；所述阱(33)通过轻掺杂获得；
阱(33)的上表面刻蚀部分区域，在刻蚀区域通过离子注入获得源区(34)；
N型外延层(2)的部分区域加工有终端结构(41)，所述终端结构(41)的掺杂物为P型高阻硅；
N型外延层(2)上终端结构(41)所在区域作为终端区；
N型外延层(2)上终端区和超结区之间通过浅离子注入一层P-区(5)；
N型外延层(2)上表面部分区域依次淀积二氧化硅层、多晶硅层作为MOSFET结构的栅极(6)；
栅极(6)和N型外延层(2)上表面淀积复合钝化层PSG作为钝化层(7)；
钝化层(7)的部分区域通过光刻开孔、淀积Al/Si/Cu合金获得源极(8)和场限环(42)；源极(8)覆盖在源区(34)的上表面；
阱(33)、源区(34)的上表面均覆盖有钝化层(7)；
N+型衬底(1)的下表面附着有Al/Si/Cu合金作为漏极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，所述漏极(9)、源极(8)和金属场限环(42)材料相同。
3.根据权利要求2所述的一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，所述Al/Si/Cu合金中各个金属的质量比为质量比为Al：Si：Cu＝98.5％：1.0％：0.5％。
4.根据权利要求1～3任意之一所述的一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，所述N+型衬底(1)的材料为N型掺杂的多晶硅，晶向沿100方向排列，所述N型掺杂的多晶硅具体选用电阻率为0.003Ω·cm的磷掺杂N型硅。
5.根据权利要求1所述的一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，所述栅极(6)由下到上依次是栅极氧化层和和多晶硅层；所述栅极氧化层厚度为600～800埃，多晶硅层厚度为5000～7000埃。
6.根据权利要求3所述的一种带有终端结构的超结MOSFET结构，其特征在于，所述源极(8)采用溅射的方式进行金属淀积，源极(8)的厚度为3～5um。
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