[发明专利]一种光罩及图像校准方法

说明书

本发明公开了一种光罩及图像校准方法，属于半导体技术领域，光罩包括：非曝光区内设置有一标记图案，标记图案包括亮场图案和暗场图案，亮场图案和暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且标准图形中的最小关键尺寸小于曝光区中图形的最小关键尺寸；方法包括：光罩缺陷检查台通过扫描标记图案进行图像校准；上述技术方案有益效果是：保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间，提高了光罩缺陷检查台的工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光罩及图像校准方法。

背景技术

光罩用来向晶圆表面涂覆的光刻胶上转移电路图形，一般采用的是高精度的石英平板，光罩必须是没有缺陷的才能够在光刻胶上呈现出完整的电路图形，否则，不完整的图形会被刻蚀到晶圆上；光罩缺陷检查台便是结合影像扫描技术与先进的影像处理技术，来捕捉光罩上的缺陷。

光罩缺陷检查台在进行缺陷检查之前需要先建立缺陷扫描程式，缺陷扫描程式的建立过程需要依次经过对准，选取像素尺寸，定义光罩的被扫描区域，定义晶粒的大小，光源校准、图像校准等步骤，这其中，以图像校准步骤最为复杂，需要耗费大量的时间和重复的试验才能够保证建立的缺陷扫描程式的准确性和精确性；现有技术中，光罩缺陷检查台在进行图像校准的过程，通常需要在光罩上选取3到5个图形作为图像校准的基准点，而且寻找的3到5个图形中还要满足如下要求：1.所选图形要包含框架单元中的亮场和暗场的边界区域；2.所述图形中要包括特定的特征图形；3.所选图形中应当包括最小特征尺寸；如果光罩缺陷检查台寻找的图形无法满足上述要求，则需要经过第二次甚至第三次的调整，这就使得检查台在建立缺陷扫描程式耗时较长，程式返工调整的概率较大，效率较低。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种光罩及图像校准方法，通过于待检测光罩上增加一标记图案，使得光罩缺陷检查台可以直接通过标记图案进行图像校准，在保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间，提高了光罩缺陷检查台的工作效率。

上述技术方案具体包括：

一种光罩，所述光罩包括曝光区和非曝光区，其特征在于，所述非曝光区内设置有一标记图案，所述标记图案包括亮场图案和暗场图案，所述亮场图案和所述暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且所述标准图形中的最小关键尺寸小于所述曝光区中图形的最小关键尺寸。

优选地，其中，所述标准图形包括线、孔以及线间距中的一项或多项。

优选地，其中，同类型的所述标准图形的关键尺寸分别按预定方向依次减小。

优选地，其中，相邻两个同类型的所述标准图形中，较小的所述标准图形的关键尺寸比较大的所述标准图形的关键尺寸小5-20％。

一种图像校准方法，应用于光罩缺陷检查台，其特征在于，于所述待检测光罩的非曝光区内设置一标记图案，所述标记图案包括亮场图案和暗场图案，所述亮场图案和所述暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且所述标准图形中的最小关键尺寸小于所述待检测光罩曝光区中图形的最小关键尺寸；

所述光罩缺陷检查台通过扫描所述标记图案进行图像校准。

优选地，其中，所述标准图形包括线、孔以及线间距中的一项或多项。

优选地，其中，同类型的所述标准图形的关键尺寸按预定方向依次减小。

优选地，其中，相邻两个同类型的所述标准图形中，较小的所述标准图形的关键尺寸比较大的所述标准图形的关键尺寸小5-20％。

优选地，其中，所述通过扫描所述标记图案进行图像校准的过程具体包括：

步骤S1，所述光罩缺陷检查台根据预先设定的坐标定位所述标记图案；