[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管器件有效
| 申请号： | 201911334570.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112397583B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 器件 | ||
1.一种增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：
沟道层，设置于基板上；
阻挡层，设置于所述沟道层上，其中所述沟道层及所述阻挡层的介面具有主要沟道；
P型氮化镓层，设置于所述阻挡层上；
保护层，设置于所述P型氮化镓层上，其中所述P型氮化镓层及所述保护层的介面具有次要沟道；
栅极，设置于所述保护层中，所述栅极的上表面从所述保护层的上表面凸出；以及
源极与漏极，分别位于所述栅极的两侧，且设置于所述沟道层、所述阻挡层、所述P型氮化镓层及所述保护层中，所述源极与所述漏极的上表面从所述保护层的上表面凸出。
2.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，更包括介电层，设置于所述栅极与所述保护层之间。
3.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述栅极下方的所述保护层的厚度为1nm至10nm。
4.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述P型氮化镓层的厚度为至少40nm。
5.如权利要求4所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述P型氮化镓层的厚度为40nm至80nm。
6.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化铝镓AlGaN或氮化铝铟镓InAlGaN。
7.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，中所述保护层的材料包括AlXGa1-XN，且X为0.05至0.3。
8.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述P型氮化镓层的掺质为镁。
9.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述沟道层的材料包括氮化镓GaN。
10.如权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化铝镓AlGaN。
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