[发明专利]一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法

权利要求书

1.一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)称量相应包套容积的W粉末，所述W粉末纯度5N，平均粒度0.2～0.9μm；

2)将步骤1)中的W粉末通过冷等静压进行预成型，得到预成型W靶坯；所述冷等静压的压力为350MPa，压制15～30min，使其致密度达到69.8％；

3)将步骤2)中预成型W靶坯放置入不锈钢包套或Ti包套中进行除气封焊，真空度小于6×10^-3Pa；

4)将步骤3)所获得的除气封焊后的W靶坯放入热等静压炉中进行一次热等静压压制烧结，热等静压所用的压制压力为150MPa，烧结温度为1200℃，保温保压1～3h，获得致密度96.0％的烧结致密化W靶坯；

5)将步骤4)所获得的致密化W靶坯进行机加工，去除包套；

6)将步骤5)所获得的W靶坯在热等静压炉中进行二次热等静压烧结致密化，二次热等静压所用的压制压力为150MPa，烧结温度为1800℃，保温保压3～4h，得到W靶材，所述W靶材的平均晶粒尺寸为11.9μm。

2.一种高密度细晶粒易成型的W靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)称量相应包套容积的W粉末，所述W粉末纯度5N，平均粒度0.2～0.9μm；

2)将步骤1)中的W粉末通过冷等静压进行预成型，得到预成型W靶坯；所述冷等静压的压力为350MPa，压制15～30min，使其致密度达到69.8％；

3)将步骤2)中预成型W靶坯放置入不锈钢包套或Ti包套中进行除气封焊，真空度小于6×10^-3Pa；

4)将步骤3)所获得的除气封焊后的W靶坯放入热等静压炉中进行一次热等静压压制烧结，热等静压所用的压制压力为150MPa，烧结温度为1100℃，保温保压1～3h，获得致密度95.6％的烧结致密化W靶坯；

5)将步骤4)所获得的致密化W靶坯进行机加工，去除包套；

6)将步骤5)所获得的W靶坯在热等静压炉中进行二次热等静压烧结致密化，二次热等静压所用的压制压力为150MPa，烧结温度为1800℃，保温保压3～4h，得到W靶材，所述W靶材的平均晶粒尺寸为10.7μm。