[发明专利]封装结构与其形成方法有效
申请号: | 201911336403.2 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111354649B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 黄冠育;黄松辉;赖瑞协;侯上勇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 与其 形成 方法 | ||
提供一种封装结构与其形成方法。其方法包括在基材上形成一个或多个焊料元件。一个或多个焊料元件围绕基材的区域。其方法也包括在基材的区域上设置半导体晶粒结构。其方法还包括在基材的区域上分配含有聚合物的液体。一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中。此外,其方法包括固化含有聚合物的液体以形成底部填充材料。
技术领域
本发明实施例涉及一种半导体结构与其形成方法,且特别关于一种封装结构与其形成方法。
背景技术
半导体集成电路产业经历快速成长。半导体制造工艺持续的进步使半导体装置具有更精细的部件及/或更高的整合度。功能密度(即每芯片面积的互连装置数量)已增加,而部件尺寸(即使用制造工艺创建的最小元件) 已减小。这种微缩化工艺提供增加生产效率和降低相关成本的益处。
芯片封装不只提供半导体装置不受环境污染的保护,也为封装在其中的半导体装置提供互连接口。已经发展出利用更少面积或更低高度的更小的封装结构来封装半导体装置。
新的封装技术已经被开发以进一步提高半导体晶粒的密度和功能。这些相对较新的半导体晶粒封装技术面临制造的挑战。
发明内容
一种形成封装结构的方法,包括在基材上形成一个或多个焊料元件,其中一个或多个焊料元件围绕基材的区域;在基材的区域上设置半导体晶粒结构;在基材的区域上分配含有聚合物的液体,其中一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中;及固化(cure)含有聚合物的液体以形成底部填充材料。
一种形成封装结构的方法,包括在基材上形成多个焊料元件,其中多个焊料元件一同围绕基材的区域;经由多个接合结构,在基材的区域上接合半导体晶粒结构;回焊多个焊料元件及多个接合结构;导入底部填充材料至被多个焊料元件围绕的区域上,其中多个焊料元件大抵防止底部填充材料流至区域外;及固化底部填充材料。
一种封装结构,包括半导体晶粒结构在基材上;多个接合结构在半导体晶粒与基材之间;多个焊料元件在基材上,其中多个焊料元件一同围绕半导体晶粒结构;及底部填充材料,围绕多个接合结构,其中底部填充材料大抵被限制在被多个焊料元件围绕的区域中。
优选地,本发明提出一种形成封装结构的方法,包括:
在一基材上形成至少一焊料元件,其中该至少一焊料元件围绕该基材的一区域;
在该基材的该区域上设置一半导体晶粒结构;
在该基材的该区域上分配一含有聚合物的液体,其中该至少一焊料元件限制该含有聚合物的液体大抵在该区域中;及
固化该含有聚合物的液体以形成一底部填充材料。
优选地,还包括:
在该基材上设置一模板,其中该模板具有至少一开口,该开口部分地暴露该基材;
在该模板上涂布一焊料浆料,其中一部分的该焊料浆料经由该至少一开口设置在该基材上,以形成该至少一焊料元件;及
去除该模板。
优选地,还包括在分配该含有聚合物的液体之前,回焊该焊料元件。
优选地,其中该半导体晶粒结构为一具有至少一半导体晶粒的晶粒封装,并且该半导体晶粒结构经由多个焊料凸块接合至该基材上。
优选地,还包括同时回焊该些焊料凸块及该至少一焊料元件。
优选地,还包括:
在该基材上形成一第二焊料元件;及
在该第二焊料元件上设置一表面安装装置。
优选地,其中该至少一焊料元件和该第二焊料元件同时形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造