[发明专利]等离子体刻蚀装置及其工作方法在审
申请号: | 201911339775.0 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN113097097A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 杨金全;黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 刻蚀 装置 及其 工作 方法 | ||
1.一种等离子体刻蚀装置,其特征在于,包括:
反应腔,其内具有放置待处理基片的基座;
上电极组件,位于所述反应腔顶部,与基座相对设置;
冷却器件,设置于所述上电极组件上;
第一驱动装置,与所述冷却器件连接,用于驱动所述冷却器件离开或接触所述上电极组件;以及
加热器件,设置于所述上电极组件上,用于对所述上电极组件进行加热。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述上电极组件朝向所述冷却器件和加热器件的表面设置导热片。
3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述导热片是柔性石墨片。
4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述冷却器件内设置流体通道,所述流体通道内容纳流体,利用所述流体对所述上电极组件进行冷却。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述加热器件连接第二驱动装置,所述第二驱动装置用于驱动所述加热器件离开或接触所述上电极组件。
6.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述加热器件设置于所述上电极组件上,通过控制所述加热器件是否通电对所述上电极组件进行加热或者不加热。
7.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述反应腔与所述上电极组件之间设置接地衬垫。
8.如权利要求7所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述接地衬垫所包含的材料有铝。
9.如权利要求1所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述反应腔与所述上电极组件之间设置隔热衬垫。
10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀装置,其特征在于,所述隔热衬垫包含塑料。
11.一种等离子体处理装置的工作方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供权利要求1至权利要求10中的任一项所述的等离子体处理装置;
当所述等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件与所述上电极组件接触,对所述上电极组件进行降温,所述加热器件不对所述上电极组件加热;
当所述等离子体处理装置内不进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件离开所述上电极组件,并利用所述加热器件对所述上电极组件进行加热。
12.如权利要求11所述的等离子体处理装置的工作方法,其特征在于,当所述加热器件连结所述第二驱动装置时,所述等离子体处理装置的工作方法包括:
当所述等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件与所述上电极组件接触,对所述上电极组件进行降温,通过所述第二驱动装置驱动所述加热器件离开所述上电极组件,不对所述上电极组件加热;以及
当所述等离子体处理装置内不进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件离开所述上电极组件,不对所述上电极组件进行降温,通过所述第二驱动装置驱动所述加热器件与所述上电极组件接触,用于对所述上电极组件进行加热。
13.如权利要求11所述的等离子体处理装置的工作方法,其特征在于,所述加热器件设置于所述上电极组件上,通过控制所述加热器件是否通电对所述上电极组件进行加热或者不加热时,所述等离子体处理装置的工作方法包括:
当所述等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件与所述上电极组件接触,对所述上电极组件进行降温,使所述加热器件断电,不对所述上电极组件加热;以及
当所述等离子体处理装置内不进行等离子体刻蚀工艺时,通过所述第一驱动装置驱动所述冷却器件离开所述上电极组件,不对所述上电极组件进行降温,使所述加热器件通电,对所述上电极组件进行加热。
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