[发明专利]等离子体刻蚀装置及其工作方法

说明书

本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其工作方法。等离子体刻蚀装置包括反应腔、上电极组件、冷却器件、第一驱动装置及加热器件；反应腔内具有放置待处理基片的基座；上电极组件位于反应腔顶部，与基座相对设置。冷却器件设置于上电极组件上；第一驱动装置与冷却器件连接，用于驱动冷却器件离开或接触上电极组件；加热器件设置于上电极组件上，用于对上电极组件进行加热。

技术领域

本发明涉及半导体领域的装置，特别涉及一种等离子体刻蚀装置及其工作方法。

背景技术

在现有等离子体刻蚀工艺的过程中，要求机台反应腔(电容极板)在闲置(idle)状态和蚀刻过程(process)状态希望保持恒定高温状态，所以需要加热装置和冷却装置。

目前的冷却装置始终处于工作状态，在闲置状态的时候就需要大功率的加热装置才能保持反应腔(电容极板)高温，因为冷却装置带走部分热量。

在蚀刻过程状态，等离子也会使反应腔(电容极板)温度上升，想要使反应腔保持恒定高温，就需要通过冷却能力较强的冷却装置把多余的热量尽快带走。然而，现有的等离子体刻蚀装置中冷却装置始终处于工作状态，使得等离子体刻蚀装置在闲置状态的时候就需要大功率的加热装置才能保持反应腔(电容极板)内温度的恒定。

然而，大功率加热装置会受限于设计空间或发热功率，使得加热器的寿命受影响，且浪费电能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体刻蚀装置及其工作方法，用以解决前述背景技术中所面临在反应腔闲置状态保持恒定高温状态时所产生的加热器的寿命受影响及浪费电能等问题。

为了达到上述目的，本发明的第一技术方案是提供一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔、上电极组件、冷却器件、第一驱动装置及加热器件。反应腔内具有放置待处理基片的基座。上电极组件位于反应腔顶部，与基座相对设置。冷却器件设置于上电极组件上。第一驱动装置与冷却器件连接，用于驱动冷却器件离开或接触上电极组件。加热器件设置于上电极组件上，用于对上电极组件进行加热。

可选地，上电极组件朝向所述冷却器件和加热器件的表面设置导热片。

可选地，导热片是柔性石墨片

可选地，冷却器件内设置流体通道，所述流体通道内容纳流体，利用流体对所述上电极组件进行冷却。

可选地，所述加热器件连接第二驱动装置，第二驱动装置用于驱动所述加热器件离开或接触所述上电极组件。

可选地，加热器件设置于上电极组件上，通过控制加热器件是否通电对上电极组件进行加热或者不加热

可选地，反应腔与所述上电极组件之间设置接地衬垫。

可选地，接地衬垫所包含的材料有铝。

可选地，反应腔与所述上电极组件之间设置隔热衬垫。

可选地，隔热衬垫所包含的材料有聚四氟乙烯。

为了达到上述目的，本发明的第二技术方案是提供一种等离子体处理装置的工作方法，包括：提供等离子体处理装置。当等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺时，通过第一驱动装置驱动冷却器件与上电极组件接触，用于对上电极组件进行降温，加热器件不对上电极组件加热。当等离子体处理装置内不进行等离子体刻蚀工艺时，通过第一驱动装置驱动冷却器件离开上电极组件，不对上电极组件进行降温，加热器件对上电极组件进行加热。