[发明专利]具有LED测试点的LED晶圆及转移方法

说明书

本发明提供一种具有LED测试点的LED晶圆及转移方法，所述LED晶圆包括多个LED单元以及至少一个LED测试点，所述LED测试点与所述LED单元具有相同结构，且所述LED测试点的尺寸大于所述LED单元，所述LED测试点用于进行LED电性测量，获得所述LED测试点的电性参数，以表征所述LED单元的电性参数。本发明通过在LED晶圆设置与常规LED单元结构相同，且尺寸较大的LED测试点，利用LED测试点的电性参数来表征常规LED单元的电性参数，从而实现细小LED芯片，如Micro LED的电性测量，在无需分选的情况下保证芯片波长的一致性，从而有效提升芯片的利用率。

技术领域

本发明属于LED设计及制造领域，特别是涉及一种具有LED测试点的LED晶圆及转移方法。

背景技术

随着室内显示应用技术不断提高，目前使用的投影、DLP(Digital LightProcessing，数字光处理)、LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、PDP(PlasmaDisplay Panel，等离子显示板)等显示应用产品己不能完全满足市场应用需求。在各方面还存在一些缺陷使其突破不了技术的发展。而LED(Light Emitting Diode，发光二极管)全彩显示技术克服了上述产品的众多缺陷，如Mini LED(LED显示屏和背光)和Micro LED，分别成为户内外显示，如指挥中心、户外广告屏、会议中心等场合的首选，以及消费类电子屏幕的主要开发目标之一。

通常，受外延生长设备、工艺及芯片工艺限制，LED晶圆内芯片的波长峰值分布较宽，可达10nm。由于人眼容易识别可见光波段的波长差异，Mini LED及Micro LED显示均要求芯片发光波长分布在较窄的范围，以防止出现块状颜色差异区块而被人眼识别到。所谓块状颜色差异，指的是块内颜色，即波长一致，而块间颜色有细微差异。现有的解决方案，如在Mini LED显示中，通过分选将芯片按照波长等参量挑选出来，存在着分选量巨大，芯片利用率非常低的问题。在Micro LED显示中，芯片尺寸细小，无法进行常规的电性测量，更无法分选，芯片发光波长分布宽的问题，特别是绿光LED芯片，依靠常规的外延芯片工艺难以解决。

因此，如何实现细小LED芯片，如Micro LED的电性测量，在无需分选的情况下保证芯片波长的一致性，提升芯片利用率，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有LED测试点的LED晶圆及转移方法，用于解决现有技术LED芯片尺寸过小而难以进行常规的电性测量的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有LED测试点的LED晶圆，所述LED晶圆包括多个LED单元以及至少一个LED测试点，所述LED测试点与所述LED单元具有相同结构，且所述LED测试点的尺寸大于所述LED单元，所述LED测试点用于进行LED电性测量，获得所述LED测试点的电性参数，以表征所述LED单元的电性参数。

可选地，所述LED单元为Micro LED单元，所述Micro LED单元的尺寸不大于2mil×3mil。

可选地，所述LED测试点的尺寸大于或等于能进行LED电性测量的最小尺寸。

可选地，所述LED测试点的长度及宽度均为所述LED单元的长度及宽度的两倍以上。

可选地，所述LED测试点的尺寸范围大于或等于2mil×3mil。

可选地，所述LED测试点的尺寸范围介于2mil×3mil～5mil×10mil之间。

可选地，所述LED测试点与所述LED单元的结构同为正装水平结构、垂直结构及倒装水平结构中的一种。

可选地，所述电性参数包括电致发光波长、亮度、正向导通电压及反向漏电中的一种或多种。