[发明专利]制造半导体器件的方法与对应的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

将激光直接成型材料模制到至少一个半导体芯片上，所述至少一个半导体芯片被安装在引线框架上，经模制的所述激光直接成型材料提供用于所述至少一个半导体芯片的绝缘封装的至少一个部分，所述绝缘封装的所述至少一个部分具有外表面；

提供至少一个导电构造，所述至少一个导电构造在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及

将导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面、以及所述至少一个导电构造的顶表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位成介于所述引线框架和所述导电夹子之间。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将模制材料模制到所述导电夹子上，所述导电夹子被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上，所述模制材料提供针对所述至少一个半导体芯片的所述绝缘封装的至少一个另外部分。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述至少一个半导体芯片上提供至少一个接触柱凸，所述至少一个接触柱凸面向所述至少一个导电构造。

4.根据权利要求3所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：形成开口，所述开口延伸通过经模制的所述激光直接成型材料，以暴露所述至少一个接触柱凸，以及利用导电材料填充所述开口。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面处提供用于所述导电夹子的安装叶片。

6.根据权利要求5所述的方法，其中提供用于所述导电夹子的所述安装叶片包括：镀制所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：

激光钻孔至少一个孔，所述至少一个孔延伸通过所述激光直接成型材料；以及

镀制所述至少一个孔的内壁。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过焊料焊或激光焊将所述导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在模制所述激光直接成型材料之前，提供在所述引线框架与所述至少一个半导体芯片之间的至少一个导电线和/或带接合构造，其中所述至少一个导电线和/或带接合构造被嵌入在所述绝缘封装的至少一个部分中。

10.一种半导体器件，包括：

引线框架，所述引线框架具有被安装在所述引线框架上的至少一个半导体芯片；

绝缘封装的至少一个部分，在所述引线框架上的所述至少一个半导体芯片之上，所述至少一个部分由激光直接成型材料制成，所述激光直接成型材料被模制到被安装在所述引线框架上的所述至少一个半导体芯片上，所述绝缘封装的至少一个部分具有外表面；

至少一个导电构造，在所述绝缘封装的所述至少一个部分的外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及

导电夹子，被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位在介于所述引线框架和所述导电夹子之间。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，包括：所述绝缘封装的至少一个另外部分，所述至少一个另外部分在所述至少一个半导体芯片之上，所述至少一个另外部分包括被模制到所述导电夹子上的封装模制材料，所述导电夹子被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上。