[发明专利]制造半导体器件的方法与对应的半导体器件在审
申请号: | 201911340603.5 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN111354646A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | F·G·齐格利奥利 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 对应 | ||
本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法与对应的半导体器件。半导体芯片被安装在引线框架上。用于半导体芯片的绝缘封装的第一部分由被模制到半导体芯片上的激光直接成型(LDS)材料来形成。传导性构造(通过激光钻孔LDS材料和镀制提供)在绝缘封装的第一部分的外表面与半导体芯片之间延伸。导电夹子被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上,其中导电夹子被电耦合到传导性构造和引线框架。绝缘封装的第二部分由封装模制材料(环氧混合物)制成,其被模制到导电夹子上并且被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上。
本申请要求于2018年12月24日提交的序号为102018000020998的意大利专利申请的优先权权益,该申请的内容在法律允许的最大程度上通过整体引用并入于此。
技术领域
本说明书涉及制造诸如集成电路(IC)的半导体器件。
一个或多个实施例可以被应用到半导体封装,例如,QFN(四方扁平无引线)类型的半导体封装。
使用QFN封装的用于在汽车、工业与消费领域中的功率IC(例如,所谓的“智能”功率IC)是实施例的示例性的可能应用领域。
背景技术
例如,功率QFN电路可以使用利用软焊料附接的夹子(clip)。
诸如铜夹的夹子可以被采用来替代常规的线接合互连件,其目的是促进降低电阻和电感,同时改进热学性能。
针对某些器件类型“经定制”的夹子可以被直接安装在半导体焊盘上。
在存在多个裸片(堆叠或并排)、或者在混合的封装还包括布线的情况下(诸如在智能功率技术应用中的用于栅极或触发功能的线接合,或者用于数字信号的线接合),依靠该解决方案可能结果是复杂的。
定制夹子可以表示封装成本的显著部分。
一般的夹子已经被提出,但它们非常昂贵且组装复杂。
并且,经由软焊料附接夹子可能结果是本质上“脏的”处理,该处理可能需要附加的清洁步骤。
在本领域中存在克服常规解决方案的前述缺陷的需要。
发明内容
一个或多个实施例涉及半导体器件(例如,QFN功率封装)。
一个或多个实施例包括:利用模制过程制造的夹子-QFN封装,包括:激光直接成型(LDS)被应用以密封组件(具有线、带、过孔等),该组件具有用例如铜形成的定制叶片,在LDS激光照射接着电镀;标准的夹子(单一大小/形状)可以被焊接到顶部叶片、以及被焊接到引线框架。
一个或多个实施例可以包括:在夹子焊接之后,用于密封封装的次级模制步骤。
一个或多个实施例促进提供在基板设计中给予高度灵活性的功率QFN封装(例如,具有用于回蚀刻处理的布线设计的裸铜(Cu)条带),同时还促进用以处置高功率等级的夹子的使用(例如,用于IGBT应用)。
在一个或多个实施例中,夹子可以与封装腔体大小(LDS模制腔体)相对是标准的。
在一个或多个实施例中,因为处理可以在已经被模制的封装上执行,所以夹子焊接的过程(甚至利用标准过程)将对流程没有影响。
因为可以被应用于智能功率技术(例如,双极-CMOS-DMOS或BCD技术),一个或多个实施例促进了通过依靠基于LDS方案的成本的减少。
附图说明
现在将参考附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例,其中:
图1是根据本说明书的实施例的跨器件的横截面视图,
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造