[发明专利]量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜配体交换方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；

利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的量子点薄膜配体交换方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面进行配体交换的步骤包括：将所述初始量子点薄膜表面置于原子层沉积仪中，在真空条件下，将所述第二配体通入所述原子层沉积仪中。

3.如权利要求1所述的量子点薄膜配体交换方法，其特征在于，所述第一配体选自碳原子数目≥8的长链配体；和/或，

所述第二配体选自碳原子数目≤8的硫醇配体。

4.如权利要求3所述的量子点薄膜配体交换方法，其特征在于，所述第一配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种；和/或，

所述第二配体选自巯基乙醇，巯基己醇，丙硫醇，丙二硫醇，2-巯基-3-丁醇、6-巯基己醇、5-羧基-1-戊硫醇、6-羧基-1-己硫醇和7-羧基-1-庚烷硫醇中的至少一种。

5.如权利要求1-4任一项所述的量子点薄膜配体交换方法，其特征在于，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换的时间为0.5-2h；和/或，

将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面的步骤中，所述第二配体的摩尔量大于所述第一配体的摩尔量；和/或，

在所述配体交换之后，还包括通入惰性气体的步骤。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，所述基板表面制备有初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；

利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点发光层。

7.如权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面进行配体交换的步骤包括：将所述初始量子点薄膜表面置于原子层沉积仪中，在真空条件下，将所述第二配体通入所述原子层沉积仪中。

8.如权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一配体选自碳原子数目≥8的长链配体；和/或，

所述第二配体选自碳原子数目≤8的硫醇配体。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种；和/或，

所述第二配体选自巯基乙醇，巯基己醇，丙硫醇，丙二硫醇，2-巯基-3-丁醇、6-巯基己醇、5-羧基-1-戊硫醇、6-羧基-1-己硫醇和7-羧基-1-庚烷硫醇中的至少一种。

10.如权利要求6-9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换的时间为0.5-2h；和/或，

将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面的步骤中，所述第二配体的摩尔量大于所述第一配体的摩尔量；和/或，

在所述配体交换之后，还包括通入惰性气体的步骤。