[发明专利]量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法。该量子点薄膜配体交换方法，包括如下步骤：提供初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点薄膜。该量子点薄膜配体交换方法不会在量子点薄膜上留有多余的反应物，同时也不会对量子点薄膜下面的其他膜层造成破坏，而且工艺简单，提高了生产效率，在量子点薄膜工艺领域中具有广泛的应用前景。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法。

背景技术

半导体量子点(Quantum Dots，QDs)具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，量子点发光二极管(Quantum Dot Light-EmittingDiode，QLED)是以量子点薄膜作为发光层，当电子/空穴通过电子/空穴传输层注入到量子点发光层，电子和空穴在量子点发光层中复合发光。与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相比，QLED具有半峰宽窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。

为了维持量子点在合成体系中的稳定，目前QLED器件制备中使用的量子点多使用的是具有长链的油性配体，但是具有长链的油溶性配体具有绝缘性，阻碍了载流子的传输性能；在喷墨打印工艺中，在打印下一层墨水时，也可能会出现墨水与量子点薄膜的配体浸润性不好导致成膜不均匀等现象。

目前配体交换多采用两种方式：一是将量子点溶解在合适的溶剂中，加入新配体进行均相的配体交换，但是交换配体后的量子点通常不稳定，容易在溶液中团聚；二是将量子点在器件中制备成薄膜后将薄膜浸入溶有新配体的溶液中进行交换，但是容易对其他膜层造成一定的破坏。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点薄膜配体交换方法和量子点发光二极管的制备方法，旨在解决现有量子点进行表面配体交换的效果不是很理想的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点薄膜配体交换方法，包括如下步骤：

提供初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；

利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点薄膜。

本发明提供的量子点薄膜配体交换方法，通过使用原子层沉积技术，向量子点表面结合有第一配体的初始量子点薄膜反应体系中，通入第二配体即目标配体与初始量子点薄膜进行配体交换，即可以得到表面结合有第二配体的量子点薄膜，该配体交换方法不会在量子点薄膜上留有多余的反应物，同时也不会对量子点薄膜下面的其他膜层造成破坏，而且工艺简单，提高了生产效率，在量子点薄膜工艺领域中具有广泛的应用前景。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板，所述基板表面制备有初始量子点薄膜，所述初始量子点薄膜中的量子点表面结合有第一配体；

利用原子层沉积技术，将气相的第二配体沉积在所述初始量子点薄膜表面，进行配体交换，得到表面结合有第二配体的量子点发光层。