[发明专利]一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法

权利要求书

1.一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于，具体步骤如下：

S1、以稻草、玉米芯和牛粪为主要原料进行预湿后制成培养料建堆，自然升温；

S2、将建堆升温后的培养料填入智能通风发酵隧道中，结合变频风机和定时器在不同发酵时间段调控发培养料的发酵温度进行一次发酵；

S3、将经过一次发酵的培养料转移至密闭智能菇房的床架上进行二次发酵；

S4、在经过二次发酵的培养料上播种姬松茸菌种后在培养料表面覆盖无纺布保湿，进行走菌管理；

S5、在长好菌丝的培养料表面铺设由红壤土和草炭土制得的覆土材料，形成厚度为4-4.5cm的覆土层并进行覆土层菌丝培养直至菌丝长满覆土层；

S6、出菇控制与采收管理。

2.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述培养料包括如下质量百分比的原料：稻草 30-40%、玉米芯 30-40%、牛粪 20-30%、豆粕3-5%和尿素1-2%。

3.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：

所述步骤S1中稻草、玉米芯和牛粪进行预湿使其含水量保持在65-70%，将预湿好的混合料与豆粕、尿素混合均匀后建堆2-3天，自然升温至50-60℃。

4.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述步骤S2培养料一次发酵的步骤为：将建堆升温的培养料均匀地填入智能通风发酵隧道中，启动变频风机控制一次发酵温度，当发酵温度达到75-80℃时，进行翻堆转隧道，继续发酵2-4天后再次翻堆转隧道发酵2-4天。

5.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述步骤S3培养料二次发酵的步骤为：将经过一次发酵的培养料均匀铺设在密闭智能菇房的床架上，启动智能菇房的内循环风机，自然发酵至温度提升至45-55℃后通入蒸汽，加大内循环风机的风力，使培养料的温度上升且维持在60-62℃，维持8-10小时，并进行巴氏消毒；消毒完成后，启动智能菇房的通风循环系统，逐步降低培养料的温度至48-52℃并维持，继续发酵4-5天后，在智能菇房内通入新鲜空气，继续降低培养料温度至28-30℃以下后进行播种。

6.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述步骤S4中姬松茸菌种播种的用种量为培养料湿重的1-2%，将90%的姬松茸菌种混合在发培养料内，10%的姬松茸菌种均匀撒在培养料表面；播种完毕后，在培养料表面覆盖无纺布保湿，再次开启智能菇房中的内循环风机，使得培养料温度维持在25-30℃，智能菇房温度维持在22-28℃，菌丝生长6-7天后调整智能菇房内风量，待菌丝长满培养料后去掉无纺布，继续培养菌丝3-4天。

7.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述步骤S5覆土培养的步骤为：将经过消毒后的覆土材料均匀铺设在长好菌丝的培养料表面，采用少量多次的方式进行覆土的调水处理，使得覆土材料的含水量饱和同时没有水渗出；再次启动内循环风机，提高密闭智能菇房内二氧化碳浓度至8000-10000ppm，温度为22-28℃，经过7-8天培养，使得菌丝长满覆土层。

8.如权利要求7所述的一种利用稻草进行姬松茸栽培方法，其特征在于：所述覆土材料包括重量份数为20-70份的红壤土和30-50份的草炭土，覆土材料的pH为7.5-8.0。

9.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述红壤土和草炭图经过粉碎后混合均匀，在混合过程中添加碳酸钙调节覆土材料的酸碱度，将覆土材料装在透气容器中进行巴氏消毒灭菌后降温至25℃以下即可覆土。

10.如权利要求1所述的一种利用稻草栽培低镉姬松茸的方法，其特征在于：所述步骤S6采出菇控制和采用管理的具体步骤如下：

A1、第一潮菇出菇控制和采收管理：当菌丝长满覆土层后，快速降低智能菇房中的温度和二氧化碳浓度，使得智能菇房中一天内的温差为3-4℃，降温当天每平方米栽培面积喷水3-5kg，多次完成喷水对菌丝进行刺激，连续降温降二氧化碳浓度2-3天，使得智能菇房温度为20-24℃，二氧化碳浓度为2000ppm以下，经过刺激后原基开始形成，经过8-10天培养，原基长成子实体后达到采收标准即可采收第一潮菇；

A2、第二潮菇出菇控制和采收管理：当第一潮菇采收结束后，在床面凹坑处补充细土，喷水平整床面，提高智能菇房温度2-3℃，使菌丝恢复培养2-3天，再次进行降温刺激菌丝，使得智能菇房中一天内的温差为3-4℃，降温当天每平方米栽培面积喷水2-3kg，降温后维持智能菇房温度在22-24℃，湿度为85-90%，二氧化碳浓度为800-1500ppm，经过再次培养姬松茸子实体再次达到采收标准后即可采收第二潮菇；

A3、重复第二潮菇出菇控制和采收管理过程直至4潮菇全部采收结束。