[发明专利]数据保持电路有效

专利信息
申请号: 201911343577.1 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111384942B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 黄启睿 申请(专利权)人: 新唐科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;周永君
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 保持 电路
【权利要求书】:

1.一种数据保持电路,其特征在于,所述电路包含:

一第一电源开关,具有一第一连接端与一第二连接端,且该第一连接端耦接于一电源电压,其中,该第一电源开关于一睡眠模式中截止,且一第一漏电流流于该第一连接端与该第二连接端之间;

一第一反相器,具有一第一输入端、一第一输出端与一第一电源端,该第一电源端耦接于该第二连接端,该第一反向器包含一第一晶体管,该第一晶体管的第一端耦接于该第一电源端,该第一晶体管的第二端耦接于该第一输出端,其中,该第一晶体管于该睡眠模式中截止,且一第二漏电流于该第一电源端与该第一输出端之间;及

一第二反相器,具有一第二输入端、一第二输出端与一第二电源端,该第二输入端耦接于该第一输出端,该第二输出端耦接于该第一输入端,且该第二电源端耦接于该第二连接端;及

其中,该第一漏电流与该第二漏电流于该第二连接端上形成一稳态电压,且该稳态电压大于或等于一数据保持电压。

2.根据权利要求1所述的数据保持电路,其特征在于,所述第一电源开关包含一第二晶体管,该第二晶体管的临界电压小于该第一晶体管的临界电压,且该第二晶体管的宽长比和该第一晶体管的宽长比相等。

3.根据权利要求1所述的数据保持电路,其特征在于,所述第一电源开关包含一第二晶体管,该第二晶体管的临界电压和该第一晶体管的临界电压相等,且该第二晶体管的宽长比大于该第一晶体管的宽长比。

4.根据权利要求3所述的数据保持电路,其特征在于,所述第二晶体管的该宽长比与该第一晶体管的该宽长比的比值介于3至4之间。

5.根据权利要求1所述的数据保持电路,其特征在于,所述电路还包含:

一第二电源开关,具有一第三连接端与一第四连接端,且该第三连接端耦接于该电源电压,其中该第二电源开关于该睡眠模式中截止;

一第三反相器,具有一第三输入端、一第三输出端与一第三电源端,且该第三电源端耦接于该第四连接端;及

一第四反相器,具有一第四输入端、一第四输出端与一第四电源端,该第四输入端耦接于该第三输出端,该第四输出端耦接于该第三输入端,且该第四电源端耦接于该第四连接端;

一第一传输闸,耦接于该第一输出端与该第二输入端之间;

一第二传输闸,耦接于该第三输入端与该第四输出端之间;

一第三传输闸,耦接于耦接于该第三输出端与该第二输入端之间;及

一第四传输闸,耦接于一输入数据与该第三输入端之间。

6.一种数据保持电路,其特征在于,所述电路包含:

一第一电源开关,具有一第一连接端与一第二连接端,且该第一连接端耦接于一接地电压,其中,该第一电源开关于一睡眠模式中截止,且一第一漏电流流于该第一连接端与该第二连接端之间;

一第一反相器,具有一第一输入端、一第一输出端与一第一电源端,该第一电源端耦接于该第二连接端,该第一反向器包含一第一晶体管,该第一晶体管的第一端耦接于该第一电源端,该第一晶体管的第二端耦接于该第一输出端,其中,该第一晶体管于该睡眠模式中截止,且一第二漏电流于该第一电源端与该第一输出端之间;及

一第二反相器,具有一第二输入端、一第二输出端与一第二电源端,该第二输入端耦接于该第一输出端,该第二输出端耦接于该第一输入端,且该第二电源端耦接于该第二连接端;及

其中,该第一漏电流与该第二漏电流于该第二连接端上形成一稳态电压,且该稳态电压小于一数据保持电压。

7.根据权利要求6所述的数据保持电路,其特征在于,所述第一电源开关包含一第二晶体管,该第二晶体管的临界电压小于该第一晶体管的临界电压,且该第二晶体管的宽长比和该第一晶体管的宽长比相等。

8.根据权利要求6所述的数据保持电路,其特征在于,所述第一电源开关包含一第二晶体管,该第二晶体管的临界电压和该第一晶体管的临界电压相等,且该第二晶体管的宽长比大于该第一晶体管的宽长比。

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