[发明专利]SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法有效
| 申请号： | 201911344813.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111627846B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 川本聪 | 申请（专利权）人： | 艾德麦普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;B65D1/00;B65D43/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲天佐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 构造 制造 方法 | ||
1.一种SiC膜构造体，通过气相沉积型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通过去除所述基材而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：
本体，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有为了去除所述基材而使基材的一部分露出的开口部；
盖体，其用于覆盖所述开口部，使所述SiC膜构造体为密闭的封闭构造。
2.如权利要求1所述的SiC膜构造体，其特征在于，
所述盖体由SiC膜构成。
3.如权利要求1或2所述的SiC膜构造体，其特征在于，
所述盖体具有向所述开口部中嵌合的凸台部和向所述凸台部的外周伸出而覆盖所述开口部的凸缘部。
4.一种SiC膜构造体的制造方法，是通过气相沉积型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通过去除所述基材而得到由SiC膜确定的立体形状的SiC膜构造体的制造方法，其特征在于，包含：
膜形成工序，以使所述基材的一部分露出的状态，在该基材的外周形成SiC膜；
基材去除工序，在所述膜形成工序之后去除所述基材；
封闭工序，利用盖体将去除了基材的所述SiC膜的开口部封闭，使所述SiC膜构造体为密闭的封闭构造。
5.如权利要求4所述的SiC膜构造体的制造方法，其特征在于，
在所述封闭工序中，包含利用新的SiC膜覆盖所述盖体与所述SiC膜的接触部位的工序。
6.如权利要求5所述的SiC膜构造体的制造方法，其特征在于，
以向所述SiC膜与所述盖体之间夹设通过加热而烧掉的间隔物的状态进行所述封闭工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾德麦普株式会社，未经艾德麦普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911344813.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：玻璃滑槽的噪声评价方法
- 下一篇：一种基于数据驱动的居民用电能效评估方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
