[发明专利]SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法

说明书

提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体及SiC膜构造体的制造方法。SiC膜构造体(10)通过气相沉积型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通过去除基材(50)而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体(12)，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材(50)的开口部(12a)；盖体(14)，其覆盖开口部(12a)。

本申请是申请日为2019年08月28日、名称为“SiC膜构造体”、申请号为201980001810.X的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及SiC成膜技术，特别涉及一种由SiC膜构成的立体的构造体及其制造方法。

背景技术

由于耐环境性好，化学稳定性高，特别是在半导体元件制造领域，作为制造半导体时的晶舟、管以及假片这些在超高温下使用的夹具或产品，对通过由SiC所构成的膜单体构成的构造体的需要日趋提高。

这种由SiC膜构成的构造体(以下称为SiC膜构造体)不仅能够制造成平面形，还能够制造成立体形状。作为其具体制造方法，例如公知专利文献1中公开的方法。专利文献1中公开的SiC膜构造体的制造方法首先制作出由碳(石墨)等构成的基材。接着，经由CVD(chemicalvapor deposition：化学气相沉积)法向基材的表面形成SiC膜。

接着，通过在高温氧化环境中对成膜后的坯料进行加热来烧掉基材。通过利用这样的处理进行基材去除，从而即使是具有难以通过机械加工将基材去除的复杂立体形状的构造体，也能够进行基材去除，能够得到SiC膜构造体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-158666号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在以上述方式形成的SiC膜构造体中，具有立体形状的SiC膜构造体需要向基材表面上局部地或者全面地形成SiC膜并去除基材。但是，要想去除基材，就要设置使基材的一部分露出的氧化孔，SiC膜构造体不能采用完全的封闭构造。

在作为产品而构成的SiC膜构造体上，如果留下这样的氧化孔，药液等的水分就会在清洗等时进入其内部，往往会产生难以干燥的部位。

因此，本发明的目的在于解决上述问题，提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体以及起到该效果的SiC膜构造体的制造方法。

用于解决技术问题的手段

用于实现上述目的的本发明的SiC膜构造体通过气相沉积型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通过去除所述基材而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有为了去除所述基材而使基材的一部分露出的开口部；盖体，其用于覆盖所述开口部，使所述SiC膜构造体为密闭的封闭构造。

另外，在具有上述特征的SiC膜构造体中，优选所述盖体由SiC膜构成。通过具有这样的特征，能够利用SiC单体构成SiC膜构造体。另外，由于能够使本体和盖体的热膨胀系数一致，因此不存在伴随着温度变化而产生变形的隐患。

而且，在具有上述特征的SiC膜构造体中，所述盖体可以具有向所述开口部中嵌合的凸台部和向所述凸台部的外周伸出而覆盖所述开口部的凸缘部。通过具有这样的特征，即使构造体为微小的构造体，也能够容易地进行盖体的定位以及开口部的封闭。