[发明专利]基板处理设备

说明书

本发明关于一种基板处理设备包括：外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；支撑单元，其支撑前述基板于前述处理空间中；及排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的底部处且使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及排气管道，前述排气管道排出前述缓冲空间中的气体。

技术领域

本文中所描述的本发明概念的实施例涉及一种基板处理设备，且更特定而言涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理设备。

背景技术

等离子体指含有离子、自由基及电子的离子化气态物质，且通过将中性气体加热至极高温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场影响来产生。半导体装置制造工艺包括通过使用等离子体来移除基板上的薄膜的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过允许含有于等离子体中的离子及自由基与基板上的膜碰撞或反应来执行。

图1为图示一般等离子体处理设备的视图。参看图1，等离子体处理设备2000包括处理单元2100及等离子体产生单元2300。

处理单元2100通过使用由等离子体产生单元2300产生的等离子体来处理基板W。处理单元2100包括外壳2110、支撑单元2120及挡板2130。外壳2110具有内部空间2112，且支撑单元2120将基板W支撑于内部空间2112中。挡板2130具有形成于其中的多个孔且安置于支撑单元2120上方。

等离子体产生单元2300产生等离子体。等离子体产生单元2300包括等离子体产生腔室2310、气体供应单元2320、电源供应单元2330及扩散腔室2340。通过气体供应单元2320供应的处理气体通过由电源供应单元2330供应的RF功率激励至等离子体状态。所产生的等离子体经由扩散腔室2340供应至内部空间2112中。

供应至内部空间2112中的等离子体P及处理气体经递送至基板W以处理基板W。其后，等离子体P及/或处理气体经由与外壳2110连接的排气端2114经排出至外部。在一般基板处理设备2000中，排气端2114连接至外壳2110的边缘区。此是因为包括于支撑单元2120中的支撑轴安置于内部空间2112的中心区中。在排气端2114与外壳2110的边缘区连接的状况下，内部空间2112中的等离子体P及/或处理器气体朝向内部空间2112的边缘区流动。在此状况下，等离子体P可能并不适当地递送至基板W，且因此处理基板W的效率可被恶化。因此，将排气端2114定位于靠近于支撑轴的位置的方式可被考虑在内。然而，在此状况下，等离子体P及/或处理气体可经不对称地排出。因此，基板处理的均一性可被恶化。此外，在排气端2114安置于外壳2110的中心区中的状况下，归因于排气端2114与支撑单元2120的支撑轴之间的干涉可存在空间限制。

发明内容

本发明概念的实施例提供一种用于有效地处理基板的基板处理设备。

此外，本发明概念的实施例提供一种用于通过允许等离子体/气体在外壳的内部空间中均一地流动而均一地执行基板处理的基板处理设备。

此外，本发明概念的实施例提供一种用于归因于支撑轴使排气管道的配置中的空间限制最小化的基板处理设备。

待通过本发明概念解决的技术问题不限于前述问题，且本文中未提及的任何其他技术问题通过本领域技术人员将自此说明书及说明书附图清楚地理解。

根据例示性实施例，一种用于处理基板的设备包括：外壳，前述外壳在内部具有处理空间且具有穿过前述外壳形成的排气孔；支撑单元，其支撑前述基板于前述处理空间中；及排气单元，前述排气单元设置于前述外壳的前述底部处且使前述处理空间排气。前述排气单元包括：本体，前述本体在内部具有缓冲空间且具有穿过前述本体形成的通孔，前述缓冲空间连接至前述处理空间；及排气管道，其排出前述缓冲空间中的气体。前述支撑单元包括：支撑板，前述支撑板支撑前述基板于前述处理空间中；及支撑轴，前述支撑轴与前述支撑板连接且插入至前述通孔及前述排气孔中，前述支撑轴相较于前述通孔具有较小直径。