[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201911345382.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111508885A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 池口雅文;糸山哲朗;西愿修一郎;白石纯 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;阎文君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,具备:
基座板;
及陶瓷电解质基板,被设置在所述基座板之上,平面形状呈大致圆形,具有露出于外部的第1主面,其特征在于,
所述第1主面至少包含第1区域、与所述第1区域邻接的第2区域,
在所述第1区域中,设置有多个第1槽、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔、在与所述多个第1槽交叉的方向上延伸的至少1个第2槽,
所述多个第1槽的各自的平面形状呈大致圆形,且被同心设置,
所述第2槽与至少2个所述第1槽连接,
在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时,在连接所述第1槽和所述第2槽的部分上,所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1槽及所述第2槽的至少任一重叠。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,在所述第1区域中至少设置有2个所述第2槽。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,
在所述第2区域中,还设置有:
多个第3槽;
至少1个第2气体导入孔,与所述多个第3槽的至少1个连接;
及至少1个第4槽,在与所述多个第3槽交叉的方向上延伸,与至少2个所述第3槽连接,
所述多个第3槽的各自的平面形状呈大致圆形,且以所述多个第1槽的中心为中心而被同心设置,
在投影到垂直于所述第1方向的平面时,在连接所述第3槽和所述第4槽的部分上,所述第2气体导入孔的至少一部分与所述第3槽及所述第4槽的至少任一重叠。
4.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,在所述第2区域中至少设置有2个所述第4槽。
5.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,
相对于所述第1主面的中心,所述第2区域被设置在所述第1区域的外侧,
在投影到垂直于所述第1方向的平面时,在所述第1区域中,在连接位于最外侧的所述第1槽和所述第2槽的部分上,所述第1气体导入孔的至少一部分与所述位于最外侧的第1槽及所述第2槽的至少任一重叠,在所述第2区域中,在连接位于最内侧的所述第3槽和所述第4槽的部分上,所述第2气体导入孔的至少一部分与所述位于最内侧的第3槽及所述第4槽的至少任一重叠。
6.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界所呈的角度小于90°。
7.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,连接所述第1气体导入孔的中心和所述第2气体导入孔的中心的线与所述第1区域和所述第2区域之间的第1边界所呈的角度为90°。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征在于,
还具备设置在所述第1区域中的提升销孔,
所述提升销孔与所述位于最外侧的第1槽之间的距离比所述提升销孔与所述多个第1槽之中除所述位于最外侧的第1槽以外的且最靠近所述提升销孔的所述第1槽之间的距离更大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造