[发明专利]静电吸盘

说明书

本发明提供一种静电吸盘，具体而言，具备：基座板；及陶瓷电解质基板，具有第1主面，其特征在于，所述第1主面至少包含第1区域、与所述第1区域邻接的第2区域，在所述第1区域中设置有多个第1槽、与所述多个第1槽的至少1个连接的至少1个第1气体导入孔、在与所述多个第1槽交叉的方向上延伸的至少1个第2槽，所述多个第1槽的各自的平面形状呈大致圆形，且被同心设置，所述第2槽与至少2个所述第1槽连接，在投影到垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电解质基板的第1方向的平面时，在连接所述第1槽和所述第2槽的部分上，所述第1气体导入孔的至少一部分与所述第1槽及所述第2槽的至少任一重叠。

技术领域

本发明的形态涉及静电吸盘。

背景技术

静电吸盘例如具有由氧化铝等构成的陶瓷电解质基板、设置在陶瓷电解质基板的内部的电极。当将电外加于电极时，则产生静电力。静电吸盘是利用所产生的静电力来吸附硅晶片等对象物的装置。在这样的静电吸盘上，在陶瓷电解质基板的表面和对象物的背面之间流入有氦(He)等惰性气体(以下仅称为气体)，以便控制对象物的温度。

例如，在CVD(化学汽相沉积Chemical Vapor Deposition)装置、溅射装置、离子注入装置、蚀刻装置等对基板进行处理的装置上，存在有在处理中基板的温度上升的情况。因此，在这样的装置所使用的静电吸盘上，通过在陶瓷电解质基板和基板之间流入气体，使气体与基板接触，来实现基板的放热。

例如，提出有一种在陶瓷电解质基板的表面上设置同心圆状的槽部和放射状的槽部，或是将用于供给气体的孔与放射状的槽部连接的技术(例如，参照专利文献1)。

此外，在处理中，在对象物的面内产生有温度分布。此时，由于如果气体压力升高，则从对象物的放热量增大，因此能够使对象物的温度降低。因此，可通过将陶瓷电解质基板的对象物侧的表面分割成多个区域，使多个区域中的气体压力改变，来控制对象物的面内温度。

例如，为了控制各区域中的气体压力，提出有一种在各区域之间设置密封环的技术(例如参照专利文献2)。

此时，为了控制各区域中的气体压力，优选利用密封环将各区域气密性隔开。可是，如此，在晶片加工工艺中产生的颗粒变得容易积存在密封环的部分上，可能会导致产生在该部分上产生不良等不便。

还提出有一种在密封环的顶部和对象物之间设置微小的间隙，来控制各区域中的气体压力的技术(参照专利文献3)。

在该情况下，也未能解决颗粒容易积存在密封环部分上的课题。

因此，希望开发一种技术，能够在有效地控制各区域中的气体压力的同时，抑制密封环部分上的颗粒的堆积。

专利文献

专利文献1：日本国专利第5462946号公报

专利文献2：日本国特开2011-119708号公报

专利文献3：日本国特开2012-129547号公报

发明内容

本发明是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种可在有效地控制各区域中的气体压力的同时，抑制密封环部分上的颗粒的堆积的静电吸盘。